产品描述：
VPE由反应室和盖子组成。加热元件集成在盖子中。它控制要蚀刻的基板的温度。可以通过两种方式实现晶圆夹紧：可以使用夹紧环将晶圆机械夹紧。拧紧是从设备的背面完成的，该设备永远不会与HF蒸气接触。3个螺母易于戴上防护手套。另一种选择是静电夹紧。可以将单芯片（长于10毫米）以及晶片固定到加热元件上。保护晶片的背面不受蚀刻。
液态HF被填充到反应室中。反应室用盖封闭。HF蒸气在室温下产生，蚀刻过程自发开始。蚀刻速率由可在35°C至60°C范围内调整的晶圆温度控制。
MEMS的粘着：
二氧化硅通常用作微机械结构的牺牲层。例如，绝缘体上硅（SOI）晶片上的深反应离子蚀刻（DRIE）器件通常在液态氢氟酸（HF）中释放。
用去离子水冲洗晶片后，水的表面张力破坏了释放的结构或结构彼此粘附。
应用：
-粘着MEMS的自由释放
-结构变薄
-SOI衬底上的结构无划片的释放
-蚀刻速率可在0到约30 µm / h之间调节
-单面SiO2蚀刻（在处理过程中受到背面保护）
技术：气相蚀刻
最早的气相蚀刻实验是由Holmes＆Snell在1966年进行的[1]。他们观察到，即使晶圆不在蚀刻浴中而是接近晶圆，也以可比的蚀刻速率蚀刻晶圆上的二氧化硅。Helms＆Deal确定水的作用是为表面的HF提供冷凝的溶剂介质。奥芬伯格等。[2]提出了两步反应，其中首先通过吸附水（H2O）形成硅烷醇基团来打开氧化物表面。随后，硅烷醇基团受到HF的攻击：
SiO 2 + 2H 2 O-> Si（OH）4
Si（OH）4 + 4HF-> SiF 4 + 4H 2 O
上式表明，水起蚀刻过程的引发剂以及反应物的作用。这一事实表明，可以对蚀刻工艺进行温度控制，以使启动工艺所需的水量和反应物水的量保持平衡。在idonus的汽相刻蚀机中，通过加热晶片来达到这种平衡。晶片上的水膜在中等温度下蒸发。蚀刻速率随温度升高而降低，并在高于50°C的温度下完全停止。
在约5 µm / h的蚀刻速率下实现了无粘附的MEMS释放。
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[1] PJ Holmes和JE Snell，《微电子学与可靠性》（纽约Pergamon，1966年），第1卷。5，第 337。
[2] M. Offenberg，B。Elsner和F.Lärmer，“蒸汽HF蚀刻在表面微加工中去除牺牲氧化物”，扩展摘要：电化学。Soc。秋季会议（迈阿密海滩）第94-2卷，第1056-7页，1994年。
