UV-LED Photolithography Exposure system 紫外LED光刻曝光系统,MEMS制造设备紫外线LED曝光系统用于光刻的idonus UV-LED曝光系统

Idonus基于高功率LED和高档微透镜阵列的基础上提出了一个革命性的紫外光照系统
这个产品应用于光刻胶曝光工艺,适用多种基材。光照质量保证了高的同质性的临界尺寸和整个面上的侧壁角。实际上,由于使用了一种完全远心的光学,我们的设计提供了完美的稳定光照条件,即整个表面的高同质性的强度和低的发散角。

可以根据用户需求进行产品开发定制,可以极大缩短您的想法变成产品的时间。

LED BENEFITS优点
目前随着LED技术的发展,紫外LED表现出了比汞光源更大的优势。
● 长寿命LED,测试不需要耗材
● 不需要每天校准,即刻稳定光照
● 有限的发热,这降低了空气冷却费用
● 低功率消耗
● 光源仅仅在曝光时开启(不需要快门)
● 用户可以根据需求进行照射系统定制。
也可以按照用户旧机器的尺寸设计照射系统,以替代旧的机器上的汞灯照射系统。

TYPICAL PERFORMANCES 典型参数
分辨率 :0.5 μm
光学功率 :20 to 200 mW/cm2
曝光区域 :50×50 to 300×300 mm2
光学辐照不均匀性 : ±2%
最大发散角(FWHM) :±1.5°to 3°
波长 :365 / 385 / 405 nm
光谱半宽幅 :12 nm
设备尺寸 : 65x30x30 cm3
总功率 :20 to 1200 W

EXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS 系统规格举例
可能的曝光系统的不同配置如下表所示,系统可以根据您的需要设计。
System Type 系统型号 A B C
Resolution [um] 分辨率 2 1 1
Optical power [mW/cm2] 光学功率 42 152 165
Exposition area [mm2] 曝光面积 80×80 100×100 300×300
Optical irradiance inhomogeneity [%]

光照幅度不均匀性

±2 ±2 ±2
Max divergence angle [°] (Full Width Half Maximum)
最大发散角(半宽幅)
±2.5° ±1.5° ±1.5°
Wavelength [nm] 波长 405 365 385
Spectrum half width [nm]  光谱半宽幅 12 12 12
System size [cm]  系统尺寸 65x30x30 65x30x30 1100x60x60
Power consumption [W] 功耗 20 180 1200

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