idonus提出了一种创新的紫外线照明系统，该系统基于大功率LED和高级均质光学器件的使用。该产品可用于光致抗蚀剂曝光，适用于MEMS，微流体，光子学，半导体和光伏应用中的各种基材和光致抗蚀剂。我们完整的紫外线照明产品线可满足对最大300毫米宽（11.8英寸）的掩模和晶圆的光刻需求。可以设计定制的解决方案以满足您的特定要求（例如，对掩模对准器进行改造，为您的未来产品提供OEM）。
LED的优势
直到最近，水银弧光灯才是唯一能够提供适用于UV光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步，UV-LED已成为危险且耗能的汞灯的极具吸引力的替代品。
除了生态和安全方面，与传统的汞灯相比，UV-LED的技术优势是众多的，并且对光刻具有重要意义。UV-LED的最主要优点是，它们能以一致的发射率运行，使用寿命非常长。结果，不需要日常校准和维护。此外，通过提高能源效率，LED减少了发热量，从而大大简化了系统冷却。
UV-LED技术的优势
LED 使用寿命长，这意味着不再需要消耗品
无需每日校准，即时稳定的照明
即时开启，仅在曝光期间开启灯光，无需机械快门
低功耗
光谱窄：不会对基材造成不必要的加热，并且可重复性更高
没有维护费用
紫外线LED曝光系统
idonus已经推出了完整的UV-LED曝光产品线。我们的系统将市场上最有效的UV-LED与高级微透镜阵列集成在一起。它们完全组装并在内部进行控制。我们的设计采用全远心光学元件，可在整个曝光区域提供可重复且均匀的照明条件，即高度均匀且稳定的强度，并且发散角很小。这种尖端的光学器件可确保整个基板完全均匀地曝光，从而生产出具有笔直侧壁的固化光致抗蚀剂，并可以对具有微米级临界尺寸的图案进行精确的微结构化。
性能表现
我们的UV-LED曝光系统有几种标准配置，可以根据多种变化（例如，单个或混合波长）进行定制。作为特殊机器的制造商，idonus还可以根据客户的要求开发完全定制的设备（例如，不同的曝光区域，改装的设备外壳）。表“标准UV-LED曝光系统”中列出了我们产品的主要特性。在校准过程中进行的典型测量如图B所示。在可用的曝光区域中，辐照度不均匀度±（max-min）/（max + min）低于±3％。图A所示的最大准直角α是我们系统表征的另一个重要参数。图C中显示的数据是从对我们的一种模型进行的测量中提取的典型结果。为了评估α，测得的辐照度是准直角的函数：α对应于FWHM（半高全宽）。该阈值通常用于考虑有效地促进光刻胶照射的光能。
