产品描述
VPE 由反应室和盖子组成。加热元件集成在盖子中。它控制要蚀刻的基材的温度。晶圆夹紧可以通过两种方式实现：晶圆可以使用夹紧环机械地夹紧。拧紧从设备背面进行，该装置从不与 HF 蒸汽接触。3 个螺母易于使用保护手套操作。另一种选择是静电夹紧。单个芯片（大于 10 mm）以及晶圆可夹紧到加热元件上。晶圆背面可防止蚀刻。
液体高频被填充到反应室中。反应室用盖子关闭。HF 蒸汽在室温下形成，蚀刻过程自发启动。蚀刻速率由可从 35°C 调节到 60°C 的晶圆温度控制。加工后，酸可以储存在储液罐中，在可密封容器中再用。液体传输只需通过降低带手柄的通信储液罐即可完成。由于重力，酸流入储液罐，并可以通过两个阀门关闭。通过打开阀门并提起手柄，对反应室进行重新加注。酸流入反应室。酸可以重新用于多个蚀刻，直到它必须被更换。
VPE 系统的占地面积小，可轻松集成到现有流量箱中。
Application 总结
– 粘附自由
MEMS 释放
– 结构变薄 – SOI 基
材上结构的自由释放 – 蚀刻速率可调自 0 至约
30 μm/h – 单侧 SiO2 蚀刻（在过程中保护背面）
组合驱动器结构的释放
将梳子驱动器的自由释放与相邻梳子手指之间的 1 μm 间隙（图片来源：Idonus Sarl）
反应室温度控制
二氧化硅的蚀刻速率随反应室中液体高频的温度而略有变化。HF 的温度取决于洁净室的环境温度。此外，HF 在长时间的蚀刻过程中加热，导致从晶圆到晶圆的蚀刻速率增加，直到系统稳定下来。为了稳定蚀刻速率，我们开发了一个反应室，容器中装有温度控制高频。HF 的温度可以通过附加控制器进行调整。Peltier 元件根据所需的工艺参数加热或冷却酸。
