Idonus湿法晶片卡盘WPWC、均匀电沉积晶片卡盘WEDC
湿蚀刻或电沉积过程中用于背面保护的湿处理晶片卡盘：我们为直径在2英寸至200毫米之间、厚度在所需范围内的晶片制造卡盘。可以根据要求制造定制卡盘。可以制造用于KOH和HF蚀刻以及浸入其他化学物质的卡盘。带有集成环形电极的卡盘可以在电镀过程中均匀化晶片上的电流密度分布。可以根据您的需求设计用于多个湿处理晶片夹具的晶片卡盘载体。大多数载体的设计都是为了完全适合我们客户的蚀刻设备。
下面，我们列出了湿法蚀刻微细加工工艺中使用的一些标准化学品，这些化学品与WPWC兼容：
HF（氢氟酸）
KOH（氢氧化钾）
TMAH（四甲基氢氧化铵）
