OPTO DIODE CORPORATION OD-110W 近红外高功率LED

OPTO DIODE近红外高功率LED

Opto Diode 的近红外（NIR）高功率 LED 专为需要精确、高输出红外照明的严苛应用而设计。这些器件发射波长覆盖 700 nm 至 1300 nm 范围，具备优异的光辐射性能、光谱稳定性和长使用寿命。

OPTO DIODE的高功率近红外 LED 单芯片可提供高达 250 mW（DC）的输出，多芯片阵列可提供高达 1000 mW（DC）的输出，使其成为夜视、监控、工业传感及其他关键任务系统的理想选择。OPTO DIODE可提供标准和定制配置，以满足您对波长、输出和封装的精确要求。

OPTO DIODE CORPORATION OD-110W 近红外高功率LED 功率、精度、可靠性 

特点
高辐射功率输出
热优化封装
高可靠性与长寿命

应用
医疗与生物医学设备
国防与航空航天
科学研究与仪器仪表

OPTO DIODE CORPORATION OD-110W 近红外高功率LED 特点：
• 超高光输出
• 芯片四角采用四线键合
• 光束非常均匀
• 标准 3 引脚 TO-39 气密封装
• 芯片尺寸：0.026″ × 0.026″（约 0.66 mm × 0.66 mm）

OPTO DIODE CORPORATION OD-110W 近红外高功率LED规格：