用于光刻的UV-LED exposure系统(UV-EXP系列)
UV-EXP系列产品是idonus提供的一种创新的紫外照明系统，基于高功率LED和高级均匀化光学元件。该产品线适用于光刻胶曝光（UV-LED光刻和固化），适用于MEMS、微流体、光子学、半导体和光伏应用中使用的各种基板和光刻胶。我们的标准UV照明产品线可以满足宽度达300毫米（11.8英寸）的掩模和晶圆光刻需求。
idonus可以设计定制解决方案，以满足您的特定需求（例如，改装掩模对准器，为您的未来产品提供OEM服务）。
UV-LED exposure的好处包括：
1. 稳定的照明，无需每天校准。
2. 瞬间开启，仅在曝光时点亮，无需机械快门。
3. 长寿命，无需更换耗材。
4. 窄谱：不会对基板产生不必要的加热，过程更可重复。
5. 低功耗。
6. 无维护成本。
idonus的UV-LED曝光系统
idonus推出了一系列完整的UV-LED曝光产品。我们的系统集成了市场上最有效的UV-LED，配合高级微透镜阵列。这些系统完全在内部组装和控制。我们的设计采用全远心光学系统，能够在整个曝光区域提供可重复和均匀的照明条件，即高度均匀和稳定的强度，非常小的发散角。这一尖端光学技术确保了整个基板的完全均匀曝光，产生具有直立侧壁的固化光刻胶，并且能够精确微结构化具有微米关键尺寸的图案。
idonus的 UV-EXP的性能
idonus的UV-LED曝光系统提供多种标准配置，并可根据客户的要求定制各种变体和选项（例如，单一波长或混合波长）。作为专用机器制造商，idonus还可以根据客户的规格开发完全定制的设备（例如，不同的曝光区域，适配的设备外壳）。我们产品的主要特性详见”标准UV-LED曝光系统”表格。
在校准过程中典型的测量结果如图B所示。在可用的曝光区域内，辐照度的非均匀性（最大-最小）/（最大+最小）小于3%。图A中展示的最大准直角度α是我们系统中系统性特征的另一个重要参数，我们进行系统性的特征化。图C显示的数据是从我们其中一个型号的测量结果中提取的典型结果。为了评估α，辐照度作为准直角度的函数进行测量：α对应于半高全宽（FWHM）。这个阈值通常用来考虑有效贡献到光刻胶辐照的光能。根据我们曝光系统的性能，约95%的能量包含在准直角度α内。
