代理瑞士Idonus HF Vapor Phase EtcherHF 气相刻蚀机

瑞士Idonus VPE系统由反应腔和盖子组成。加热元件集成在盖子中。它控制要蚀刻的衬底的温度。晶圆夹持可以通过两种方式实现：使用夹环机械夹持晶圆。螺钉从装置的背面进行拧紧，该背面永远不会与氢氟酸 (HF) 蒸汽。这3个螺母可以用防护手套轻松操作。 另一个选择是静电夹持。单个芯片（长度超过10毫米）和晶圆都可以夹持到加热元件上。晶圆的背面不受蚀刻保护。

液态氢氟酸被填充到反应腔中。反应腔用盖子封闭。 在室温下生成氢氟酸蒸汽，蚀刻过程自动开始。 蚀刻速率通过控制晶圆温度来控制，晶圆温度可从35°C调整到60°C。

处理后，酸可以储存在一个可密封的容器中，以备下次使用。 液体转移只需通过手柄降低连接容器即可。由于重力，酸会流入容器，并可通过两个阀门关闭。重新填充反应腔是通过打开阀门并抬起手柄来完成的。酸会流入反应腔。酸可以被重新使用用于多次蚀刻，直到需要更换为止。 VPE系统占地面积小，可以轻松地集成到现有的流盒中。

VPE 有不同的尺寸和一系列可选配件。 这里，我们展示了 电子卡盘 以及机械屑夹紧解决方案（Ø 150 mm）。

温度控制反应腔 (TRC )

二氧化硅的刻蚀速率随着反应腔内液态氢氟酸的温度略有变化。 氢氟酸的温度取决于洁净室的环境温度。此外，在长时间的刻蚀过程中，氢氟酸会加热，这导致从晶圆到晶圆的刻蚀速率逐渐增加，直到系统稳定下来。

为了稳定蚀刻速率，我们使用了一个带有温度控制液态氢氟酸的反应腔。氢氟酸的温度可以通过额外的控制器进行调整。将氢氟酸酸加热到阈值温度以上，可以在蚀刻过程中保持温度稳定。