Thermo electric 晶圆,晶圆传感器, 智能温度传感器,晶圆片,半导体硅晶圆,半导体晶圆,晶圆电阻,RTD晶圆电阻式温度检测器,电阻式温度检测器,RTDS传感器, 硅片晶圆,6英寸,8英寸,12英寸晶圆,0~350℃晶圆

晶圆热电偶、键合晶圆或RTD电阻式温度检测器)在半导体加工设备中得到应用,在半导体加工设备中,了解和控制晶圆表面的温度至关重要。
Thermo electric的仪器化晶圆被应用于许多行业,包括快速热处理(RTP)、快速热退火(RTA)、暴露后烘烤(PEB)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、离子注入、太阳能电池和许多其他热驱动工艺。
Thermo electric拥有设计和安装热电偶的专业知识,包括硅、AlTiC、玻璃、陶瓷和其他裸露的基板,有涂层或有图案的基材。其他定制基板,形状和尺寸可供选择.

多通道晶圆数据采集系统-TEDAQ

Thermo Electric 的数据采集系统(TEDAQ)和温度映射软件工具允许精确捕捉和分析任何类型的仪表化晶圆的温度数据。TEDAQ在仪器化晶圆组件上提供完全集成的多点温度测量。
我们的TEDAQ提供了一个硬件和软件嵌入式解决方案,可轻松应用于任何尺寸的晶圆和多达64个热电偶输入。TEDAQ软件与最新的Windows操作系统兼容。

TC-350H-高性能-温度范围(-50°C至350°C)

TC-350H使用尽可能最小的传感元件,以减少热质量并增加每个传感器的响应时间。用于制造传感器的材料经过仔细选择,以获得尽可能高的精度和最大的传感器间均匀性。

TC-350D-重工业-温度范围(-50°C至350°C)

TC-350D采用最坚固的部件,以延长这些易碎产品的使用寿命。用于制造传感器的材料经过仔细选择,以获得尽可能高的精度和最大的传感器间均匀性。

TC-350晶圆产品采用热电偶技术,以产生最准确和可靠的读数。

TC-700H-高性能-温度范围(-50°C至700°C)

TC-700H使用尽可能最小的传感元件,以减少热质量并增加每个传感器的响应时间。用于制造传感器的材料经过仔细选择,以获得尽可能高的精度和最大的传感器间均匀性。

TC-700D-高负载-温度范围(-50°C至700°C)

TC-700D使用最坚固的部件来延长这些易碎产品的使用寿命。用于制造传感器的材料经过仔细选择,以获得尽可能高的精度和最大的传感器间均匀性。

TC-700晶片产品采用热电偶技术,以产生最准确和可靠的读数。

TC-1200-高温/高纯度-温度范围(-50°C至1200°C)

TC-1200采用了一种非常独特的连接方法,可实现极高的温度运行。该方法不使用粘合剂。取而代之的是,硅被激光焊接以固定传感器。

这不仅允许高温操作,而且还创造了最干净的设计之一。通过消除粘合剂,不可能出现脱气或其他不良情况。

这种设计适用于了解和控制硅片表面温度至关重要的场合。大多数制造商将传感器嵌入晶圆的核心。该产品将测量重点放在晶圆表面上最重要的过程发生的地方。在使用本产品时,您可以期望通过最准确地放置传感元件,获得更快、更准确的响应时间。

虽然这些产品通常用于整个半导体行业,但该技术也可用于测量任何其他二维表面的温度均匀性。

TC-1200晶片产品采用热电偶技术,以产生最准确和可靠的读数。

BTC700H-低剖面/高响应-最高温度700°C

BTC-700H提供低剖面和精确的配对晶圆对垂直对齐,以确保快速准确的响应。该产品将响应典型晶圆键合过程中发生的静态和动态温度变化。

BTC700适用于需要了解和控制匹配硅片表面温度均匀性的晶片键合设备。MEMS、MOEMS、绝缘体上硅(SOI)、晶圆级封装和三维芯片堆叠是采用晶圆键合的主要技术类别。

键合晶片可以由任何晶片直径制成,因此可以在技术上尽可能接近特定的键合工艺。作为本产品的用户,您可以期望对晶圆键合过程中发生的温度变化做出快速、准确和可靠的响应。

RTD-低温/高精度-最高温度240°C

仪器化晶片RTD的工作原理是,某些金属的电阻在一定温度范围内以可重复和可预测的方式增加或减少。

与热电偶晶片相比,RTD晶片具有更高的精度和更高的稳定性,为监控半导体制造设备提供了额外的选择。

RTDs传感器在较长时间内保持初始精度的能力提供了温度测量的可重复性。

剖面和尖峰热电偶

剖面和尖峰热电偶在半导体工艺(如掺杂工艺中使用的扩散炉)的温度控制中至关重要。

热电公司在贵金属(B型、S型、R型)热电偶方面拥有广泛的专业知识,并制造最先进的质量尖峰和剖面,可通过最严格的半导体工艺获得信任。


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