• 宽谱紫外线（UVA+UVB+UVC）
• 0.06平方毫米的检测区域
• 采用扩散器结构设计
• TO18封装结构：采用密封设计，配有1个绝缘引脚和1个外壳引脚。
• 在280纳米波长下，当辐射强度达到10毫瓦/平方厘米时（即处于峰值灵敏度状态），所产生的电流约为123纳安。
• 具有高抗辐射能力的SiC紫外线光电二极管芯片（经德国联邦物理技术研究院检测确认）

SG01S–18D

基于 SiC 的宽带紫外光电二极管，有效面积 A = 0.06 mm²

通用特性

SG01S–18D UV 光电二极管特性

• 宽带响应：覆盖 UVA+UVB+UVC，PTB 报告证实芯片稳定性高

• 有效面积 A = 0.06 mm²

• 使用扩散器（diffuser）在孔径上产生朗伯响应

• TO18 气密金属外壳，1 个隔离引脚 + 1 个外壳引脚

• 峰值辐射 10 mW/cm² 时，输出电流约为 123 nA

关于 sglux SiC 紫外光电二极管

碳化硅（SiC）具有独特的特性：极端耐辐射、近乎完美的可见光盲、极低的暗电流、高速和低噪声。这些特点使 SiC 成为可见光盲半导体紫外探测器领域可用的最佳材料。

按照标准，我们的 SiC 探测器可在高达 170°C 的温度下长期运行，并提供耐温高达 350°C 的版本。其温度系数也很低，< 0.1%/K。

由于噪声低（暗电流在 fA 量级），可以可靠地测量极低的紫外辐照度。请注意，该器件需要搭配适当的信号转换电路（参见第 3 页的典型电路图）。

该光电二极管提供 7 种不同的有效芯片面积，从 0.06 mm² 到 36 mm² 不等。标准版本为宽带 UVA‑UVB‑UVC。四个带滤光片的版本可获得更窄的灵敏度范围。

所有光电二极管均采用气密密封的金属外壳（TO 封装类型），直径有两种：5.5 mm（TO18）或 9.2 mm（TO5）。

其他可选类型包括：

• 2 引脚底座（1 个隔离引脚 + 1 个接地引脚）或 3 引脚底座（2 个隔离引脚 + 1 个接地引脚）

• 用于测量 200 nm 以下真空紫外的 SG03 系列

• 针对更宽 UVA 灵敏度范围的 6H 系列

• SMD 封装的光电二极管

• 具有圆形有效区、以实现更均匀视场的光电二极管

参数表