波兰 PREVAC MBE分子束外延设备 Standard MBE systems

波兰 PREVAC MBE分子束外延设备 Standard MBE systems 独立MBE系统包括沉积工艺室和加载锁定室,用于简单快速地加载衬底。它适用于生长III/V族、II/VI族以及其他异质结构等的元素。

MBE分子束外延设备可提供底部法兰可更换的系统设计。整个法兰可以使用专门设计的推车轻松更换,因此可以为您的研究提供各种不同的来源配置和选项。

MBE分子束外延设备可包含10个用于蒸发源的端口,衬底台适用于直径高达4英寸的样品,并可选择加热和旋转。沉积过程可以在较宽的温度范围内(从LN2到1400˚C)进行控制,并且可以通过PLC控制器进行完全的软件编程和控制。
MBE分子束外延设备配有超高压标准的连接法兰,用于连接当前和未来的设备,包括:
最多10个带法兰DN 63CF(高温或低温、单丝或多丝)的光源,
带法兰DN 63CF的独立百叶窗,
带有电源的阀式裂解器源,
带电源的大功率电子枪
具有温度范围(从LN2到1400˚C)的基板操纵器,
泵送系统(基于备用泵、TMP、离子泵和TSP泵),
带设备的真空计,
用于线性传输系统的入口,例如来自负载锁、径向分配室、传输通道或传输箱的入口,
带Z操作器的石英天平
RHEED/TorrHEED带设备,
用于相邻层或掩模的电动或手动快门(跟随衬底),
额外的气体配量系统,例如用于反应沉积过程,
视口–带百叶窗的观察窗,
残余气体分析仪,
光束通量监测器
诊断设备的加热视口。
最终设计和功能取决于系统配置。

如果需要,该系统的模块化设计允许通过径向分布传输解决方案或传输隧道与任何其他研究平台相结合和集成。
泵送系统与MBE分子束外延设备的标准容积相结合,可根据泵的配置达到5×10-10–5×10-11毫巴的基本压力。泵送系统是不同类型的泵的组合,例如前真空泵、离子泵、低温泵、涡轮泵或钛升华泵,根据具体应用需求单独选择以实现最佳泵送性能。

Synthesis过程控制软件允许各种类型和制造商的来源进行集成和完美合作,并实现简单的配方编写、自动生长控制和广泛的数据记录。允许基于Tango开源设备集成新的附加组件。

MBE分子束外延设备配备了先进、易于使用的电源和电子设备,用于控制和支持电源和整个研究设备。

波兰 PREVAC MBE分子束外延设备 Standard MBE systems主要特征:

适用于MBE生长工艺领域大多数研究需求的通用解决方案
适用于生长III/V、II/VI族元素以及其他异质结构
DN 63CF端口中最多10个蒸发源,带电源
带电源的带阀门的裂解器源
带电源的大功率电子枪
1-4轴电动或手动操作器,带接收站,能够实现高达1400°C的高温(具有由固体SiC制成的稳定、长寿命的加热器元件)
基板支架尺寸范围:从10×10毫米到4英寸
基本压力为5×10-10至5×10-11毫巴
工艺室直径为300或450 mm,带有可更换的底部法兰(例如,最多10个DN 63CF端口,用于处理室直径为450 mm的蒸发源)
泵送系统(基于背压泵、TMP、离子泵和TSP)
用于沉积速率测量和厚度监视器的石英天平,带Z机械手测量焦点中的速率
带设备的RHEED/TorrHEED
63CF端口上的附加独立百叶窗
样品架装载用装载闸室
从负载锁定到 处理室
内部屏蔽
带设备的真空计
视口-带快门的观察窗
烘烤前带有集成排气管线的冷却系统
烘烤系统
系统的可调节刚性主框架
19“带电子单元的机柜

ApplicationsSources
Effusion cellE-beam evaporatorsValved Cracker SourceSublimation Source
MetalsAl, Co, Ni, Cu (etc.)Mo, Pd, Ta, W, Pt
group III/VBe, Al, Ga, InP, As, SbC, Si doping
group II/VIBe, Zn, CdS, Se, Te
group IVGe, Sn, PbSi, GeB, P, Sb doping
OxidesMn, Fe, Ni, Ga, Bi, Eu
Topological Insulators (TI)Ge, Sn, Te, Bi, GeSbBSe, Te

Related posts