Prevac Mini MBE系统一种简单且功能齐全的小型MBE系统旨在用于薄层的外延生长。即插即用紧凑型设计。
如果您需要高质量的沉积工艺以及低运行成本的设计和小尺寸的设备,这就是答案。该设备非常适合用于快速测试研发部门的新材料和新技术。
分子束外延独立系统适用于III/V、II/VI族元素以及其他异质结构等的生长。
特征
- 即插即用建筑
- 经济的解决方案,专为空间有限的实验室设计
- 适用于III/V、II/VI族元素以及其他异质结构的生长
- 多达8个蒸发源DN 40CF带电源的端口
- 4轴电动或手动操作者具有高精度温度控制:电阻加热高达1000 ℃,电子束加热高达1400 ℃,水或液氮2冷却(可根据要求提供更简单的机械手)
- 准备用于旗式基板/样品架
- 基底压力用LN2护罩:< 2×10-10毫巴(millibar压力单位)
- 小的加工室250毫米,带可更换底部法兰
- 泵送系统(基于前级泵、TMP、离子泵和TSP)
- 石英天平用于沉积速率测量和厚度监控,用Z操纵器测量焦点处的速率
- RHEED/torrheed带设备
- 额外的独立百叶窗在40CF端口上
- 负载锁定室用于单个样品架或带转盘(作为存储),用于6或12个旗形基片架
- 可靠且快速线性传输系统从装载锁到处理室
- 带设备的真空计
- 视窗–带快门的观察窗
- 烘烤前带有集成排放管线的冷却系统
- 烘烤系统
- 可调节的刚性主框架,带大轮子,便于放置系统
- 带电子装置的19英寸机柜
描述
这加工室包含8个蒸发源端口,基底台用于10×10 mm样品,带有加热和旋转选项。
沉积过程可以在很宽的温度范围内控制(从1n2高达1400°C ),可通过PLC控制器完全软件编程和控制。
这加工室配有UHV标准的连接法兰,用于连接当前和未来的设备,包括:
- 多达8个带法兰DN40CF(高温或低温,单丝或多丝)的泻流单元,
- 基片操纵器的温度范围(从12高达1400摄氏度),
- 泵送系统(基于前级泵、TMP、离子泵和TSP),
- 带设备的真空计,
- 用于线性传送系统或运输箱的入口,
- 石英天平,带Z操纵器的厚度监视器,
- RHEED/torrheed与设备,
- 用于相邻层或掩模的电动或手动快门(跟随衬底),
- 额外的气体定量给料例如对于反应沉积过程,
- 视窗–带百叶窗的观察窗,
- 残余气体分析仪,
- 诊断设备的加热视窗。
最终设计和功能取决于系统配置。
A 抽水系统结合小容积的处理室,允许在短时间内达到基础压力,其中基础压力被保证低于5×10-10毫巴。
该系统配备先进,易于使用电力供应和电子设备控制和支持来源和整个包括研究设备。
应用程序 | Sources | |||
Effusion cell | E-beam evaporators | Valved Cracker Source | Sublimation Source | |
Metals | Al, Co, Ni, Cu (etc.) | Mo, Pd, Ta, W, Pt | ||
group III/V | Be, Al, Ga, In | P, As, Sb | C, Si doping | |
group II/VI | Be, Zn, Cd | S, Se, Te | ||
group IV | Ge, Sn, Pb | Si, Ge | B, P, Sb doping | |
Oxides | Mn, Fe, Ni, Ga, Bi, Eu | |||
Topological Insulators (TI) | Ge, Sn, Te, Bi, GeSb | B | Se, Te |