Prevac磁控管源/2英寸靶

用于在溅射过程中施加高均匀性薄层的磁控管源。用来2英寸直径的目标.

根据溅射过程所需的条件,我们提供两种类型的源:类型 B & C.

所有类型都与我们的M600DC-PS电源以及市场上所有其他DC、射频和脉冲DC电源完全兼容。

磁控管源A型用于在溅射过程中施加具有高均匀性的薄层。该源与UHV条件兼容。由于集成的原位倾斜系统,它可以用于标准和定制几何室。通过使用圆顶型设计,我们将打开快门所需的空间减到最小。

安装用法兰DN 63 CF,DN 100 ISO-K*
最大值电源(DC模式)400 W DC **
最大值功率(射频模式)400瓦射频**
最大值电压DC1200伏
DC/右前连接器7/16型
目标
形式圆形的;循环的
直径2英寸(50.8毫米)0.2毫米
厚度1-6毫米
冷却间接的
水流量滴1升/分钟
最大值入口水温< 28 °C
最大值水压3巴
管道直径6×1毫米聚四氟乙烯
磁体材料钕铁硼(NdFeB)
磁铁最大。温度200摄氏度
内部气动百叶窗
快门类型圆顶型或平摆型
原位倾斜模块是,范围+45 \-10
烟囱
专用材料:
200 W时的典型速率[nm/min]:
40.87纳米/分钟(距离:150毫米;目标厚度:3毫米)***
10.82纳米/分钟(距离:150毫米;目标厚度:3毫米)***
(英国)继续教育15.94纳米/分钟(距离:150毫米;目标厚度:1毫米)***
内部气体入口是(VCR标准)
工作气体
最大值工作压力5×10-3 – 1×10-1毫巴(millibar压力单位)
最佳工作压力5×10-3 – 5×10-2毫巴(millibar压力单位)

*根据要求提供其他安装法兰
**最大功率由目标材料决定
***距离取决于室和磁控管的几何形状

磁控管源B型用于在溅射过程中施加具有高均匀性的薄层。该源与UHV条件兼容。该源被设计用于溅射磁性和铁磁材料。它可以操作7毫米厚的目标。

安装用法兰DN 63 CF
最大值电源(DC模式)400 W DC **
最大值功率(射频模式)400瓦射频**
最大值电压DC1200伏
DC/右前连接器7/16型
目标
形式戒指
直径2英寸(50.8毫米)0.2毫米
厚度1-7毫米(磁性和非磁性)
冷却间接的
水流量滴1升/分钟
最大值入口水温< 28 °C
最大值水压3巴
管道直径6×1毫米聚四氟乙烯
磁体材料钐钴(SmCo)
磁铁最大。温度350摄氏度
内部气动百叶窗
快门类型圆顶型或平摆型
原位倾斜模块是,范围+45 \-10
烟囱
专用材料:
200 W时的典型速率[nm/min]:
32.84纳米/分钟(距离:160毫米;目标厚度:3毫米)***
10.07nm/min(距离:160mm;目标厚度:3毫米)***
(英国)继续教育9.63纳米/分钟(距离:160毫米;目标厚度:3毫米)***
内部气体入口是(VCR标准)
工作气体
最大值工作压力5×10-3 – 1×10-1毫巴(millibar压力单位)
最佳工作压力5×10-3 – 5×10-2毫巴(millibar压力单位)

*根据要求提供其他安装法兰
**最大功率由目标材料决定
***距离取决于室和磁控管的几何形状

磁控管源C型与射频和DC兼容,可沉积多种材料:导体、半导体和绝缘体。该源能够产生均匀、同质和小晶粒的薄膜;具有高密度(低空隙面积)、高镜面性(反射率)、无辐射损伤和断键等优点。

Mounting flange型号为DN 63CF或DN 63 iso-KMS2/63C1,
或型号为DN 100CF或DN 100 iso-KMS2/100C1
Max. power (DC mode)400 W DC **
Max. power (RF mode)400 W RF **
Max. voltage DC1200 V
Connector DC/RFtype 7/16
Target保管员标准
formcircular
diameter2″ (50.8 mm) ± 0.2 mm
thickness非磁性:1-6mm;磁性:铁1毫米,镍1毫米
coolingindirect
Water flowmin. 1 l/min
Max. inlet water temperature< 28 °C
Max. water pressure3 bar
Tubing diameterØ6×1 mm PTFE
Magnet materialNeodymium Iron Boride (NdFeB)
Magnet max. temperature200摄氏度
Internal pneumatic shutteryes
Shutter typedome type or flat swing
Insitu tilt moduleyes, range +45° ÷ -10°
Chimneyyes
Dedicated materials:
typical rates [nm/min] for 200 W:
Cu34.70纳米/分钟(距离:100毫米;目标厚度:3毫米)***
Ti6.8纳米/分钟(距离:100毫米;目标厚度:3毫米)***
Fe32.41纳米/分钟(距离:100毫米;目标厚度:1毫米)***
Internal gas inletyes (VCR standard)
Working gasAr
Max. working pressure5×10-3 – 1×10-1 mbar
Optimal working pressure5×10-3 – 5×10-2 mbar

* Other mounting flanges on request
** The maximum power is determined by the target material
*** Distances depend on the geometry of the chamber and the magnetrons

  • 有或没有原位倾斜模块
  • 安装法兰的范围
  • 标准烟囱
  • 充气的圆顶型或者侧摆快门
  • 间接冷却