用于在溅射过程中施加高均匀性薄层的磁控管源。用来2英寸直径的目标.
根据溅射过程所需的条件,我们提供两种类型的源:类型 B & C.
所有类型都与我们的M600DC-PS电源以及市场上所有其他DC、射频和脉冲DC电源完全兼容。
磁控管源A型用于在溅射过程中施加具有高均匀性的薄层。该源与UHV条件兼容。由于集成的原位倾斜系统,它可以用于标准和定制几何室。通过使用圆顶型设计,我们将打开快门所需的空间减到最小。
安装用法兰 | DN 63 CF,DN 100 ISO-K* |
最大值电源(DC模式) | 400 W DC ** |
最大值功率(射频模式) | 400瓦射频** |
最大值电压DC | 1200伏 |
DC/右前连接器 | 7/16型 |
目标 | |
形式 | 圆形的;循环的 |
直径 | 2英寸(50.8毫米)0.2毫米 |
厚度 | 1-6毫米 |
冷却 | 间接的 |
水流 | 量滴1升/分钟 |
最大值入口水温 | < 28 °C |
最大值水压 | 3巴 |
管道直径 | 6×1毫米聚四氟乙烯 |
磁体材料 | 钕铁硼(NdFeB) |
磁铁最大。温度 | 200摄氏度 |
内部气动百叶窗 | 是 |
快门类型 | 圆顶型或平摆型 |
原位倾斜模块 | 是,范围+45 \-10 |
烟囱 | 是 |
专用材料: | |
200 W时的典型速率[nm/min]: | |
铜 | 40.87纳米/分钟(距离:150毫米;目标厚度:3毫米)*** |
钛 | 10.82纳米/分钟(距离:150毫米;目标厚度:3毫米)*** |
(英国)继续教育 | 15.94纳米/分钟(距离:150毫米;目标厚度:1毫米)*** |
内部气体入口 | 是(VCR标准) |
工作气体 | 氩 |
最大值工作压力 | 5×10-3 – 1×10-1毫巴(millibar压力单位) |
最佳工作压力 | 5×10-3 – 5×10-2毫巴(millibar压力单位) |
*根据要求提供其他安装法兰
**最大功率由目标材料决定
***距离取决于室和磁控管的几何形状
磁控管源B型用于在溅射过程中施加具有高均匀性的薄层。该源与UHV条件兼容。该源被设计用于溅射磁性和铁磁材料。它可以操作7毫米厚的目标。
安装用法兰 | DN 63 CF |
最大值电源(DC模式) | 400 W DC ** |
最大值功率(射频模式) | 400瓦射频** |
最大值电压DC | 1200伏 |
DC/右前连接器 | 7/16型 |
目标 | |
形式 | 戒指 |
直径 | 2英寸(50.8毫米)0.2毫米 |
厚度 | 1-7毫米(磁性和非磁性) |
冷却 | 间接的 |
水流 | 量滴1升/分钟 |
最大值入口水温 | < 28 °C |
最大值水压 | 3巴 |
管道直径 | 6×1毫米聚四氟乙烯 |
磁体材料 | 钐钴(SmCo) |
磁铁最大。温度 | 350摄氏度 |
内部气动百叶窗 | 是 |
快门类型 | 圆顶型或平摆型 |
原位倾斜模块 | 是,范围+45 \-10 |
烟囱 | 是 |
专用材料: | |
200 W时的典型速率[nm/min]: | |
铜 | 32.84纳米/分钟(距离:160毫米;目标厚度:3毫米)*** |
钛 | 10.07nm/min(距离:160mm;目标厚度:3毫米)*** |
(英国)继续教育 | 9.63纳米/分钟(距离:160毫米;目标厚度:3毫米)*** |
内部气体入口 | 是(VCR标准) |
工作气体 | 氩 |
最大值工作压力 | 5×10-3 – 1×10-1毫巴(millibar压力单位) |
最佳工作压力 | 5×10-3 – 5×10-2毫巴(millibar压力单位) |
*根据要求提供其他安装法兰
**最大功率由目标材料决定
***距离取决于室和磁控管的几何形状
磁控管源C型与射频和DC兼容,可沉积多种材料:导体、半导体和绝缘体。该源能够产生均匀、同质和小晶粒的薄膜;具有高密度(低空隙面积)、高镜面性(反射率)、无辐射损伤和断键等优点。
Mounting flange | 型号为DN 63CF或DN 63 iso-KMS2/63C1, 或型号为DN 100CF或DN 100 iso-KMS2/100C1 |
Max. power (DC mode) | 400 W DC ** |
Max. power (RF mode) | 400 W RF ** |
Max. voltage DC | 1200 V |
Connector DC/RF | type 7/16 |
Target | 保管员标准 |
form | circular |
diameter | 2″ (50.8 mm) ± 0.2 mm |
thickness | 非磁性:1-6mm;磁性:铁1毫米,镍1毫米 |
cooling | indirect |
Water flow | min. 1 l/min |
Max. inlet water temperature | < 28 °C |
Max. water pressure | 3 bar |
Tubing diameter | Ø6×1 mm PTFE |
Magnet material | Neodymium Iron Boride (NdFeB) |
Magnet max. temperature | 200摄氏度 |
Internal pneumatic shutter | yes |
Shutter type | dome type or flat swing |
Insitu tilt module | yes, range +45° ÷ -10° |
Chimney | yes |
Dedicated materials: | |
typical rates [nm/min] for 200 W: | |
Cu | 34.70纳米/分钟(距离:100毫米;目标厚度:3毫米)*** |
Ti | 6.8纳米/分钟(距离:100毫米;目标厚度:3毫米)*** |
Fe | 32.41纳米/分钟(距离:100毫米;目标厚度:1毫米)*** |
Internal gas inlet | yes (VCR standard) |
Working gas | Ar |
Max. working pressure | 5×10-3 – 1×10-1 mbar |
Optimal working pressure | 5×10-3 – 5×10-2 mbar |
* Other mounting flanges on request
** The maximum power is determined by the target material
*** Distances depend on the geometry of the chamber and the magnetrons
- 有或没有原位倾斜模块
- 安装法兰的范围
- 标准烟囱
- 充气的圆顶型或者侧摆快门
- 间接冷却