NGI3000 是一款结构坚固、广受欢迎的离子源，专为表面清洗（如离子溅射）设计。其束流能量高达 3 keV，典型离子电流可达 30 µA，适用于各类 UHV 表面科学实验平台。
🔧 核心性能与优势
专利气体注入系统
允许在典型腔压 1 x 10⁻⁶ Torr 下进行有效溅射
无需昂贵的差分抽气装置，显著降低系统集成成本
适用于低压贵气体溅射
在 UHV 条件下进行高效清洗操作
宽束离子束设计
实现样品表面的均匀溅射清洁
兼容多种应用
束压连续可调
离子束电压 200 V 至 3 kV 连续调节，满足不同工艺需求
数字化控制电子系统
提供 USB 或以太网接口，便于集成至现代自动化控制系统中
这款离子源非常适合搭配 LEED/AES、XPS、TOF-SIMS 或其他表面分析设备进行样品预处理和污染层去除。
性能特点
► 采用专利气体注入系统，避免使用昂贵的差动抽气设备
► 在低腔室压力（约10⁻⁶ Torr）下进行稀有气体溅射
► 宽幅离子束确保均匀溅射
► 兼容一般溅射清洗和离子散射光谱（ISS）应用
► 连续可调的束电压，最高可达3 kV
溅射刻蚀系统
LK Technologies的NGI3000型号离子枪及其控制电子设备专为离子溅射表面清洗设计，束能最高可达3 keV，离子电流最高25 μA。该离子枪采用创新气体注入系统，使溅射过程可在典型腔室压力1×10⁻⁶ Torr下进行。相比传统离子枪需要将腔室回填至约5×10⁻⁵ Torr，这一气体负荷的大幅降低带来了显著优势，缩短泵降时间并减少气体杂质问题。该气体注入系统使NGI3000无需昂贵的差动抽气装置即可应用于离子散射光谱（ISS）及其他离子光谱应用。标准配置下，离子枪发射宽幅离子束，确保大多数样品清洗操作所需的均匀溅射。
该溅射刻蚀系统通常包括NGI3000离子枪、NGI3000-SE控制电子设备和NGI3000-LV泄漏阀。提供两种标准枪体长度（详见尺寸图）。系统价格合理，兼容多种典型溅射清洗和ISS应用。
技术规格
► 束电压：0.1 – 3 kV，连续可调
► 离子源类型：电子轰击式，提取式
► 灯丝：可更换，钍化铱丝
► 束电流：额定最大25 μA，发射电流20 mA；电流密度 > 100 μA/cm²
► 束直径：高斯分布，随靶距可变，典型值为2.5 cm枪头到靶面时8 mm直径（详见表格）
► 安装方式：2.75英寸外径CFF法兰，配4个SHV连接器
► 气体入口：通过法兰上集成的泄漏阀引入
► 离子源压力：典型5×10⁻⁵ Torr
► 腔室压力：配150 l/s泵抽时典型1×10⁻⁶ Torr
► 差动抽气：无需
► 控制电子设备：机架安装，前面板控制束电压和发射电流，带发射电流表计
