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Leysop EM500 系列 KD*P 纵向普克尔盒
KD*P Pockels cells
配备 MHV 连接器的 KD*P 电光普克尔盒，用于 Q 开关和脉冲选取
Leysop EM500 系列 KD*P 纵向普克尔盒特点
- 纵向电场
- KD*P 晶体设计
- 干式或液体填充式
- 高功率承受能力
- 高消光比：>1000:1
- 低光学损耗
- 标准 Ø50 mm 外壳尺寸
Leysop EM500 系列 KD*P 纵向普克尔盒
EM500 系列 **KD*P 纵向普克尔盒（Pockels Cells）**采用坚固耐用的结构设计，并提供灵活多样的电气连接方式，可满足不同应用需求。
贯通连接型（Through-connected）能够在不采用真正 50 Ω 传输线技术的情况下，实现最低的开关时间，因此通常用于脉冲选取（Pulse-Picking）以及门控（Gating），例如实现放大器隔离。
单连接器型（Single Connector）通常用于Q 开关（Q-Switching）；而采用浮动连接（Floating Connections）的双连接器型，则特别适合与差分放大器配合使用，例如 Leysop 的 M5000。
这些普克尔盒采用经过特殊筛选的 KD*P 晶体制造，晶体具有低光学损耗和无应变（Strain-Free）等特性。产品适用于 0.3～1.2 μm 的光学波段，通常配备熔融石英窗口（Fused Windows），并根据客户指定的工作波长进行光学镀膜。
连接与结构配置
EM500 系列可提供单端、双端或四端子等不同电气连接配置。
根据具体应用需求，产品可提供以下两种内部结构：
- 灌注折射率匹配液（Index Matching Fluid Filled）：通常是低成本 Q 开关应用的优选方案。
- 干式结构（Dry）：可根据应用需求选择晶体是否进行增透（AR）镀膜。
此外，还可提供特殊的 “HHT”结构，可将内部表面反射降低至几乎可以忽略的程度，约为每个表面 0.05%。
HHT 结构具有以下优势：
- 显著提高光学透过率：透过率可接近 100%，实际测量结果主要受外部窗口镀膜性能限制。
- 大幅提高静态消光比（Static Contrast）：实测消光比可超过 10,000:1。
- 通过减少内部多次反射和散射，有效改善整体光学性能。
金属屏蔽与高压安全设计
EM500 系列普克尔盒的外壳经过专门设计，可提供良好的电磁屏蔽性能。
接地的金属外壳将电光晶体完全包覆，仅保留供激光通过的光学窗口。这种结构能够有效降低电磁辐射，同时提高设备运行过程中的电气安全性。
产品采用专用的高压 BNC（MHV）连接器，进一步提高高压使用安全性，并有助于降低设备的辐射电磁干扰（Radiated Emissions）。
凭借良好的电气屏蔽和安全设计，EM500 系列特别适合在开放式光学环境中使用，例如光学平台（Optical Tables）和光学面包板（Optical Breadboards）。
紧凑型电光 Q 开关
如果需要更加紧凑的设备，可选择 Leysop 的紧凑型电光 Q 开关系列。
该系列通过额外的外壳或 enclosure 提供电磁屏蔽和安全保护，在更加紧凑的结构中实现与 EM500 系列相同的光学性能，适用于对设备尺寸有较高要求的应用场景。
下面是整理后的中文技术规格表，已统一单位和术语，适合直接放到产品页面或技术资料中。
Leysop EM500 系列 KD*P 纵向普克尔盒典型技术规格
| 参数 | EM508 | EM510 | EM512 | EM515 | EM520 | EM525 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 通光孔径（Aperture） | 8 mm | 10 mm | 12 mm | 15 mm | 20 mm | 25 mm |
| 波长范围 | 0.3–1.2 μm | 0.3–1.2 μm | 0.3–1.2 μm | 0.3–1.2 μm | 0.3–1.2 μm | 0.3–1.2 μm |
| 半波电压（直流，@1.06 μm） | 6.0 kV | 6.0 kV | 6.2 kV | 6.3 kV | 6.3 kV | 6.3 kV |
| 典型上升时间* | < 0.5 ns | < 0.5 ns | < 0.5 ns | < 0.6 ns | < 0.7 ns | < 0.8 ns |
| 最大电压 | 10 kV | 10 kV | 10 kV | 10 kV | 10 kV | 10 kV |
| 消光比（@1.06 μm） | >1000:1 | >1000:1 | >1000:1 | >1000:1 | >1000:1 | >1000:1 |
| 晶体长度 | 25 mm | 25 mm | 25 mm | 30 mm | 40 mm | 45 mm |
| 电容（未端接） | 10 pF | 10 pF | 12 pF | 15 pF | 20 pF | 20 pF |
| 损伤阈值（Q开关） | 600 MW/cm² | 600 MW/cm² | 600 MW/cm² | 600 MW/cm² | 600 MW/cm² | 600 MW/cm² |
| 典型插入损耗 | 2% | 2% | 2% | 2% | 2% | 2% |
| 连接器 | 高压 BNC（MHV） | 高压 BNC（MHV） | 高压 BNC（MHV） | 高压 BNC（MHV） | 高压 BNC（MHV） | 高压 BNC（MHV） |
| 表面处理 | 黑色阳极氧化 | 黑色阳极氧化 | 黑色阳极氧化 | 黑色阳极氧化 | 黑色阳极氧化 | 黑色阳极氧化 |
| 外形尺寸 | Ø50 × 56 mm | Ø50 × 56 mm | Ø50 × 56 mm | Ø55 × 66 mm | Ø55 × 76 mm | Ø55 × 81 mm |
型号说明： EM500 系列 KD*P 纵向普克尔盒，型号中的数字对应不同的通光孔径，例如 EM508 = 8 mm、EM510 = 10 mm、EM525 = 25 mm。
* 典型上升时间：原文仅标注为 Typical Rise Time，具体测试条件需以厂家技术资料为准。
在采用 50 Ω 贯通端接（Through Termination）并配合合适的驱动器的情况下。
应用领域（Applications）
纵向电场 KDP 普克尔盒（Longitudinal Field KDP Pockels Cell）**是最早应用于激光 Q 开关的普克尔盒类型之一，也是目前技术最成熟、应用最广泛的结构之一。
该类型普克尔盒具有较大的有效通光孔径。由于电场施加于晶体的方式不同，其半波电压（Half-Wave Voltage）——即将输入偏振方向旋转 90° 所需的电压——基本上与通光孔径无关。
KDP 是一种高品质光学材料，并且可以制备成较大尺寸的晶体。因此，与某些其他电光材料相比，KDP 可以实现更大通光孔径、更高损伤阈值的普克尔盒，同时具有更具竞争力的价格，而且所需驱动电压仍处于合理范围。
虽然 KD*P 属于吸湿性材料（可溶于水），但 Leysop 已建立成熟的晶体加工技术，可实现 λ/8 的平面度以及 10-5 级激光品质表面光洁度。Leysop 的封装采用真空级 O 形圈密封结构，能够有效保护晶体免受空气湿气的影响，从而确保产品可以长期稳定运行。
YAG 和红宝石激光器 Q 开关
KD*P 普克尔盒非常适合用于 YAG 激光器和红宝石激光器的 Q 开关。Leysop 已向众多医疗及美容激光设备制造商提供相关产品。
凭借较高的激光损伤阈值，该产品能够实现焦耳级（multi-joule）脉冲能量输出，平均输出功率可达到几十瓦，最高约 50 W。
脉冲选取（Pulse Picking）
另一个重要应用领域是脉冲选取。
KD*P 具有极高的光学品质和较大的有效通光孔径，非常适合从飞秒（fs）锁模激光器产生的高重复频率脉冲序列中，选择低重复频率的脉冲，并将选取后的脉冲输入再生放大器（Regenerative Amplifier）。
Leysop 还可以提供配套的驱动器系统。结合短持续时间的电驱动脉冲，即使使用大孔径普克尔盒，也能够实现非常高消光比的脉冲选取，并可在 >10 kHz 的重复频率下实现实用化运行。
纳秒级高速光学门控
对于需要低纳秒（ns）级光学门控时间的应用，Leysop 可提供相应的高速门控系统。
该系统支持最大 25 mm 通光孔径的普克尔盒，并可实现亚纳秒级（sub-ns）上升时间，适用于对高速光学开关和门控性能要求较高的应用。
如果您有具体的应用需求，欢迎与 Leysop 联系讨论。对于可实现的应用，我们都可以提供相应的解决方案。