| InfraRed Associates，Inc.提供的光伏InSb探测器是通过台面技术使用单晶材料形成的pn结。此过程可产生质量最高的光电二极管，该光电二极管在1μm至5.5μm波长范围内显示出出色的光电性能。这些二极管是背景受限（BLIP）检测器，可以通过减少背景的空间（冷却的FOV停止点）或光谱（冷却的干扰滤波器）来增强其性能。 |
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光电效应是当适当波长的辐射入射到pn结时，在pn结上产生电势。当光子通量照射结时，如果光子能量超过禁带能，则会形成电子-空穴对。
该场将电子从p区域扫至n区域，并将空穴从n区域扫至p区域。该过程使p区域为正，n区域为负，并将在外部电路中产生电流。InSb检测器的等效电路如下所示。它由与电阻和电容项并联的信号和噪声电流发生器组成。
当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而使操作曲线发生偏移时，应将检测器反向偏置以使其回到最佳工作点：零电压。
这可以通过使用匹配的前置放大器（例如 IAP-1000 IS）来实现 。检测器前置放大器系统以检测器噪声限制模式运行。需要双输出电源。
