锑化铟探测器—InSb Detectors
InfraRed Associates提供的光伏锑化铟探测器，是通过使用单晶材料台面技术形成p-n结。这个过程产生最高质量的光电二极管而显示出在1μm至5.5μm波长范围内优良的电光性能。这些二极管是背景限制（BLIP）的探测器，其性能可以通过空间增强（冷却FOV stops）或频谱（冷却干扰滤波器）背景的减少。
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典型应用： |
光电效应是当适当的波长辐射在其上入射时，通过p-n结的电位时产生的。当光子通量照射交界处，如果光子的能量超过禁带宽度能量，电子 – 空穴对就形成。
领域扫过从p区到n区的电子，并从n区到p区的孔。这个过程使得p区正和n区负，并且在外部电路将产生的电流的流动。 InSb检测器的等效电路如下所示。这既包括信号和噪声电流发生器与电阻和长期并行的电容。
当背景辐射通过所产生的有源元件恒定的输出， 转移运行曲线时，探测器应反向偏置，使其恢复到最佳工作点：零电压。
这可通过使用一个匹配的前置放大器来实现，如我们的IAP-1000IS。检测器前置放大器系统操作在检测器噪声限制模式。双输出电源是必需的。
标准光伏铟锑检测器
