idonus 红外显微镜（IR-M）

产品概述

硅晶圆是制造集成电路（IC）和微机电系统（MEMS）的关键部件。硅材料对红外光具有透射性，利用半导体材料在红外（IR）波段下的透光性进行透视检测，对制造过程中的质量控制具有重要优势。我们的红外晶圆检测显微镜从硅基片背面进行照明，并捕捉透过基片的光线，因此能够观察到常规显微镜无法看到的硅基片内部现象。

idonus 红外晶圆检测显微镜（IR-M）配备长工作距离物镜，三级变焦功能允许用户选择合适的视场和放大倍率。通过红外敏感相机，检测样品的图像可通过 USB 3.0 接口显示在计算机上。使用 5 倍物镜时，分辨率优于 3 µm。

此外，该显微镜还提供顶部照明选项，使其可作为常规显微镜使用，用于检测晶圆顶面。设备配备 XY 载物台，可容纳 Ø 200 mm（8 英寸）或更小的晶圆。该载物台为电动驱动，可通过操纵杆进行控制。对于实验室环境，可选用经济型手动 XY 平移台替代全自动装置。XY 载物台可选配电动驱动，通过图形用户界面（GUI）和/或操纵杆进行便捷控制。

图形用户界面（GUI）

适用于 Windows 操作系统的图形用户界面（GUI）允许用户通过 PC 操作显微镜，实现对显微镜的全面控制，并可在用户定义的晶圆网格上自动采集图像。

主要应用

idonus IR-M 红外显微镜主要应用于半导体和 MEMS 器件的检测，包括：

• 硅晶圆的透射成像观察（如微结构晶圆）

• 太阳能电池的功率效率检测

  

成像示例

以下图像由 IR-M 成像显微镜拍摄，展示了一片带有微结构的绝缘体上硅（SOI）晶圆：

• 经典显微镜模式，顶部照明（可见光谱）

• 红外照明（透射模式），清晰显示埋层硅氧化物（SiO₂）在基底层与器件层之间的分布