通常，化学品供应商对即将送到的化学品质量负责，这使得半导体制造商对检测从供应商处收到的工艺化学品问题的能力非常有限。化学品的质量要通过生产线测试数据或电子分类性能来得出。现场处理期间可能发生的更改将更加被忽略并且不受监控。此外，没有考虑到集装箱装卸中的人为错误和配送点的设备故障等因素。
实施海默生的半导体折光仪在经济上是可行的（成本远低于纠正重大事故所需的人工要求），还应指出，不应忽视或低估化学品分销领域的专业知识，相反，这应视为关键工具集，能够非常迅速地对工厂产生重大影响。
海默生折光仪可以测量工艺液体（如KOH）的浓度，硫酸，氢氟酸，氢氧化铵，盐酸，异丙醇，乙二醇等。
海默生折光仪还可以测量SC-1, SC-2, SPM, DHF等化学混合物。在多组件解决方案中，这是一个校验和。如果有其中某个组件错误，整体折射率将更改。
海默生在线折光仪在硅KOH蚀刻中的应用
湿法蚀刻用于在制造过程中晶圆化学去除表层（金属、硅、光刻胶）。在所有方向上均匀浸蚀基材的蚀刻机称为各项同性。现代工艺更喜欢各向异性蚀刻，因为他们能产生清晰、控制良好的特征。几种各向异性湿法蚀刻机可以用于硅蚀刻。例如，氢氧化钾（KOH)通常用于此目的，特别是在MEMS处理中。
海默生折光仪安装在蚀刻线之前，安装在蚀刻柜里面，直接装在泵的后面。典型的KOH氢氧化钾的浓度为30%-50%，过程温度为 80-120°C （176-248°F）。它可以是高达 160°C （320°F）， 用于加热 KOH 蚀刻。传感器可以安装在垂直或水平管线。传感器应安装在水平轴位置。
喷雾溶剂工具用于蚀刻后聚合物残留去除工艺，以清洁晶圆表面。EKC是过程中两个储罐的常用化学品，EKC 的工艺工作温度保持在 65°C （149°F） 和 75°C （167°F） 之间。根据预先确定的化学再循环和晶圆运行周期，实际残留物在EKC的喷雾溶剂工具中进行。
海默生半导体折光仪安装在EKC再循环环路中，紧凑型仪器的设计适合EKC的水平面完美控制。数据记录软件允许在线打印浓度和温度曲线。
海默生折光仪应用： 化学机械平面化（CMP）过程中过氧化物混合和分配
化学机械平面化（CMP）是晶圆表面平滑和抛光的过程。这是借助氧化剂（例如过氧化氢 （H2O2）来完成的，这个氧化剂含有悬浮在载体液体中的磨蚀性颗粒。
H2O2将硅晶片表面氧化为二氧化硅。抛光垫能够更高效地抛光晶圆表面，因为新氧化的层比二氧化硅柔软得多。
CMP 浆料在使用前需要混合或稀释。氧化抛光浆料通常以浓缩形式购买，并在现场用水稀释，以尽量减少运输和人工成本。
某些多组分抛光浆料可能仅在使用前混合，因为它们的后混合寿命短。在这两种情况下，测量混合浆料的H2O2浓度至关重要，因为改变浆料成分的浓度会影响化学反应速率和晶圆抛光率。过多的 H2O2 会导致晶圆污染。
驱动半导体制造工艺的工艺工具（如 CMP）被称为关键工艺系统。它们通常由工厂的设施管理团队操作。自动化化学和泥浆处理系统对制造过程的安全性、纯度和及时性有着巨大的影响。
海默生折光仪可以安装在浆料混合的循环管中站和/或浆料点线。典型的H2O2 浓度按重量和工艺计为 0-5%温度接近环境。传感器可以安装到垂直或水平管道中。的传感器应水平安装，以便电缆连接点向下。
海默生在线折光仪的应用：太阳能晶片中残留锯切材料的去除
硅晶体种植和铸造厂是光伏制造商或独立分包生厂商的一个集成单元，它们不需要位于太阳能电池生产厂附近，因为晶圆运输成本低廉。不过，大多数公司都是，因为光伏制造商已经投资，以确保其电池厂的晶圆供应安全。这些工厂的流程是先将钢锭切成棒，然后用线锯将其切成晶圆（比光盘稍大），最后清洁产品，为电池制造做准备。清洁阶段包括醋酸或乳酸浴，其中晶圆浸入，以去除胶水和其他残留物，如硅颗粒从晶圆表面。然后，太阳能电池厂通过高科技加工序列将清洁的晶圆用于制造工作太阳能电池。
海默生折光仪可以安装在酸浴的再循环回路中。数据记录软件通过以太网允许实时收集和打印浓度和温度值以及传感器诊断数据。
传感器输出信号用于确定酸浓度的最佳水平，并触发新的化学品的喷层。
