高速InGaAs光电二极管F50S2
安装在S2型氧化铝陶瓷基板上的、有效直径为50微米的InGaAs光电二极管
这是一种适用于极高比特率接收应用的光电二极管，具有极高的速度、较低的电容值以及较低的暗电流。其感光区域的直径为50微米，采用平面钝化结构。
规格参数
绝对最大额定值
| 参数 | 评级 | 单位 |
|---|---|---|
| 储存温度 | -40至+100 | °C |
| 工作温度 | -40至+85 | °C |
| 正向电流 | 5 | 毫安 |
| 反向电流 | 0.5 | 毫安 |
| 反向电压 | 30 | V |
光学与电气特性（T = 25°C）
| 参数 | 测试条件 | 敏 | 类型 | 马克斯 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 响应度 (R) | λ = 1300纳米 λ = 1550纳米 | 0.80 0.85 | 0.85 0.90 | A/W | |
| 暗电流 (Id) | Vr = 5伏特 | 0.1 | 1 | 纳安 | |
| 上升/下降时间 （Tr/Tf） | Vr = 5伏特 | 100 | 200 | 附言 | |
| 电容 （库仑） | Vr = 5伏特 | 0.25 | 0.4 | pF |
美国Fermionics二极管 高速InGaAs光电二极管F50L
美国Fermionics二极管 高速InGaAs光电二极管F50W
