带尾纤 10 引脚 Mini-Flat 型单光子雪崩二极管

带尾纤 10 引脚 Mini-Flat 型单光子雪崩二极管

SPAD 内置 TEC Mini-Flat 型

安装于带散热器一体化外壳的评估板上

一般说明(General Description)
这款 InGaAs/InP 雪崩光电二极管(Geiger 模式 APD) 专为 单光子雪崩探测(SPAD) 应用设计并制造,内部集成了冷却系统。
该器件可在击穿电压以上的短时间内工作,这种工作方式称为 “Geiger 模式”门控模式(Gated Mode)”
–40℃ 的工作温度下可实现超低噪声性能
该器件可用于 量子密钥分发QKD 接收机等应用。


产品特点(Features)


应用领域(Applications)


绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings)
(此部分用于列出如反向电压、工作温度、存储温度、电流、功耗等参数)

参数 (Parameter)           条件 (Conditions)                    额定值 (最大) Rating (Max.)          单位 (Unit)
正向电流 (Forward Current)     连续偏置 (Continuous bias)                                     1                                                      mA
正向电压 (Forward Voltage)      连续偏置 (Continuous bias)                                    1                                                        V
反向电流 (Reverse Current)      连续偏置 (Continuous bias)                                    1                                                       mA
反向电压 (Reverse Voltage)      连续偏置 (Continuous bias)                                    VBR                                                   V
射频偏压 (RF Bias, 门控模式)    (Gated mode)                                                           VBR + 10                                           V
光输入功率 (Optical Input Power)连续波 (Continuous wave)                                 1                                                        mW
热电制冷器电流 (TEC Current) @27℃,真空环境 (Vacuum)                                 2.6                                                      A
热电制冷器电压 (TEC Voltage) @27℃,真空环境 (Vacuum)                                  2.0V
热敏电阻阻值 (Thermistor)                    @25℃                                                             10                                                      kΩ
存储温度 (Storage Temperature)                   –                                                        -40 ~ +85                                             ℃

电光特性(Electro-Optical Characteristics)

产品交付时应附带 检验表(Inspection Sheet)
测试报告应以 纸质和电子形式 提交,并应包含以下主要项目。

 

机械尺寸与引脚布局

 

其他要求(Other Requirements)

使用注意事项(Precautions for Use)

  • 本器件对 静电放电(ESD, Electrostatic Discharge) 十分敏感,操作不当可能导致损坏。

  • 在操作或测试 InGaAs PIN/APD 或其他结型光电二极管时,应使用:

    • 接地腕带(Ground Strap)

    • 防静电垫(Anti-static Mat)

    • 以及其他标准 防静电保护设备

  • 焊接引脚时,焊接温度 不应超过 350℃,且持续时间 不得超过 3 秒