韩国 WOORIRO，SPAD with TEC 单光子雪崩二极管，TO-8 封装，1000 至 1600nm 波长
该 InGaAs/InP APD 器件专门设计并制造用于 单光子雪崩检测（SPAD），并配有内部制冷系统。它可以在超过击穿电压的情况下短时间工作，这种工作方式称为 “盖革模式（Geiger-mode）” 或 “门控模式（Gated mode）”。在 -40°C 温度下可以实现超低噪声操作。该器件可用于 量子密钥分发（QKD）接收器。
特性
应用
绝对最大额定值
| 参数 (Parameter) | 条件 (Conditions) | 最大值 / 单位 (Max / Unit) |
|---|---|---|
| 正向电流 (Forward Current) | 连续偏置 (Continuous bias) | 1 mA |
| 正向电压 (Forward Voltage) | 连续偏置 (Continuous bias) | 1 V |
| 反向电流 (Reverse Current) | 连续偏置 (Continuous bias) | 1 mA |
| 反向电压 (Reverse Voltage) | — | VBR V |
| 射频偏置 (RF Bias, Gated Mode) | VBR + 10 V | — |
| 光输入功率 (Optical Input Power) | 连续波 (Continuous wave) | — |
| TEC 电流 (TEC Current) | @27°C, 真空 (Vacuum) | 2.6 A |
| TEC 电压 (TEC Voltage) | @27°C, 真空 (Vacuum) | 2.6 V |
| 热敏电阻 (Thermistor) | @25°C | 2.0 V / 2.2 kΩ |
光电特性 (Tc=25°C)
产品交付时，应附带检验单（Inspection Sheet）。
测试报告应以纸质和电子文档形式提交。
报告应包含以下主要项目：
| 参数 (Parameter) | 符号 (Symbol) | 测试条件 (Test Condition) | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max) | 单位 (Unit) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 击穿电压 (Breakdown Voltage) | VBR | ID = 10 μA | 60 | 70 | 80 | V |
| 总暗电流 (Total Dark Current) | ID | VR = 0.98 VBR | — | 1 | — | μA |
| 电容 (Capacitance) | CPD | f = 1 MHz, VPD = 0.9 VBR | — | 0.1 | — | pF |
| 量子效率 (Quantum Efficiency) | η | M = 1, λ = 1550 nm | — | 70 | — | % |
| 光学波长范围 (Optical Wavelength Range) | λ | — | 1100 | — | 1600 | nm |
| 响应度 (Responsivity) | R | λ = 1550 nm, M = 1 | 0.7 | 0.8 | — | A/W |
| 击穿电压温度系数 (Temperature Coefficient of VBR) | Γ | ΔVBR/ΔT | — | 0.11 | — | V/°C |
光电特性 (Tc= -40°C)
| 参数 (Parameter) | 符号 (Symbol) | 测试条件 (Test Condition) | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max) | 单位 (Unit) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 后脉冲概率 (Afterpulse Probability) | APP | 10 MHz 门控频率, 2 ns 门脉冲, 20% PDE | — | 10 | — | % |
| 暗计数率 (Dark Count Rate) | DCR | 10 MHz 门控频率, 2 ns 门脉冲, 20% PDE | — | 0.5 | — | kHz |
| 检测效率 (Detection Efficiency) | PDE | 10 MHz 门控频率, 2 ns 门脉冲 | — | 20 | — | % |