超薄硅片
我们的超薄硅片厚度为 10-50 微米。这些精致而灵活的晶圆支持微机电系统(MEMS)、高级 CMOS 逻辑等领域的创新新器件和组件。
硅片的主要应用
集成电路(IC)
硅是制造微处理器、存储芯片、微控制器和其他集成电路的基础。
传感器
硅 MEMS 技术允许制造加速度计、陀螺仪、压力传感器、化学传感器
光子学
硅可用于某些光子/光学元件，如调制器、光电探测器和硅光子芯片。
电力电子
特种硅晶片支持制造电动汽车传动系统中常见的高压、高频电力电子设备
分立半导体
硅衬底用于生产分立二极管、晶体管、晶闸管和整流器。
模拟电路
许多用于电源管理的线性/模拟 IC、放大器、数据转换器都构建在硅晶片上。
微流体
硅微加工技术为芯片实验室诊断设备塑造通道、泵和阀门。
光电子学
光学传感器和 LED 和激光器等光源组件依赖于硅材料和器件制造。
光伏
晶体硅片广泛用于制造用于可再生能源发电的太阳能电池/电池板。
| 直径 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 类型 | P、N、内在函数 | ||||||
| 掺杂 | 硼 （B）， 磷 （Ph）， 锑 （Sb）， 砷 （As）， 未掺杂 | ||||||
| 取向 | （1-0-0）、（1-1-1）、（1-1-0）、自定义 | ||||||
| 电阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 30,000+ | ||||||
| 厚度 （um） | 20 – 2,000+ | ||||||
| 平面/缺口 | 无平， SEMI 主要平屋， Jeida 平屋， 2 个 SEMI 平屋， 缺口 | ||||||
| 完成 | SSP、DSP、蚀刻、研磨 | ||||||
SEMI 标准规格
| 直径 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 直径 | 50.8 ± 0.38 毫米 | 76.2 ± 0.63 毫米 | 100 ± 0.5 毫米 | 125 ± 0.5 毫米 | 150 ± 0.2 毫米 | 200 ± 0.2 毫米 | 300 ± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 279 ± 25 微米 | 381 ± 25 微米 | 525 ± 20 μm 或 625 ± 20 μm | 625 ± 20 微米 | 675 ± 20 μm 或 625 ± 15 μm | 725 ± 20 微米 | 775 ± 20 微米 |
| 主平地长度 | 15.88 ± 1.65 毫米 | 22.22 ± 3.17 毫米 | 32.5 ± 2.5 毫米 | 42.5 ± 2.5 毫米 | 57.5 ± 2.5 毫米 | 缺口 | 缺口 |
| 次级平铺长度 | 8 ± 1.65 毫米 | 11.18 ± 1.52 毫米 | 18 ± 2.0 毫米 | 27.5 ± 2.5 毫米 | 37.5 ± 2.5 毫米 | 那 | 那 |
| 主要平地/缺口位置 | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° |
