WaferPro 测试硅片/晶圆 Monitor 或 Dummy 晶圆
WaferPro PRIME SEMI 标准硅片晶圆 直径50mm到 300mm
硅晶片是各种应用的基础，尤其是在电子制造中。作为现代技术的构建块，它们提供了构建电路的基板。
测试硅片
也称为 Monitor 或 Dummy 晶圆。测试晶圆的规格比Prime 晶圆更宽或更宽松。它们可以是不符合所有规格的Prime 晶圆，因此被归类为 Prime 晶圆。
应用:·设备设置和测试·生产过程评估·工艺开发等。
Dummy 晶圆（虚拟晶圆）
Dummy Wafer 是不含电路结构或不用于最终产品的晶圆，主要用于以下目的：
设备调试：在正式生产前用于测试设备参数和稳定性。
工艺开发：测试新制程时使用，节省成本。
保护作用：
在晶圆批次（lot）中放在最前和最后，保护中间的产品晶圆。
减少化学腐蚀、离子污染等对真正产品晶圆的影响。
热力学均衡：有助于在炉管扩散、CVD 等热处理时保持热分布一致
Monitor 晶圆（监测晶圆）
Monitor Wafer 是用于在线或离线分析的晶圆，通常也不是最终产品，但上面会经历实际工艺步骤，以监测生产状况或质量。
用途：
监控设备健康状态：检查沉积厚度、蚀刻速率、颗粒污染、膜层应力等。
制程稳定性验证：放在每个批次中进行工艺一致性验证。
过程控制：用于统计过程控制（SPC），例如图案失真、膜厚控制等。
失效分析（FA）：如果 Monitor wafer 出现异常，可以帮助判断问题出在哪个制程步骤
| 直径 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 类型 | P、N、内在函数 | ||||||
| 掺杂 | 硼 （B）， 磷 （Ph）， 锑 （Sb）， 砷 （As）， 未掺杂 | ||||||
| 取向 | （1-0-0）、（1-1-1）、（1-1-0）、自定义 | ||||||
| 电阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 30,000+ | ||||||
| 厚度 （um） | 20 – 2,000+ | ||||||
| 平面/缺口 | 无平， SEMI 主要平屋， Jeida 平屋， 2 个 SEMI 平屋， 缺口 | ||||||
| 完成 | SSP、DSP、蚀刻、研磨 | ||||||
SEMI 标准规格
| 直径 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 直径 | 50.8 ± 0.38 毫米 | 76.2 ± 0.63 毫米 | 100 ± 0.5 毫米 | 125 ± 0.5 毫米 | 150 ± 0.2 毫米 | 200 ± 0.2 毫米 | 300 ± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 279 ± 25 微米 | 381 ± 25 微米 | 525 ± 20 μm 或 625 ± 20 μm | 625 ± 20 微米 | 675 ± 20 μm 或 625 ± 15 μm | 725 ± 20 微米 | 775 ± 20 微米 |
| 主平地长度 | 15.88 ± 1.65 毫米 | 22.22 ± 3.17 毫米 | 32.5 ± 2.5 毫米 | 42.5 ± 2.5 毫米 | 57.5 ± 2.5 毫米 | 缺口 | 缺口 |
| 次级平铺长度 | 8 ± 1.65 毫米 | 11.18 ± 1.52 毫米 | 18 ± 2.0 毫米 | 27.5 ± 2.5 毫米 | 37.5 ± 2.5 毫米 | 那 | 那 |
| 主要平地/缺口位置 | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° |
