WaferPro 现在提供优质的绝缘体上硅 （SOI） 晶圆，扩展了我们全面的硅晶圆产品。我们的顶级 SOI 晶圆针对从传感器到功率元件的各种应用进行了优化。
与 CMOS 器件相比，在 SOI 晶圆上制造的芯片速度提高了 30%，功耗降低了 80%。SOI 结构由三层组成：用于晶体管制造的顶部有源器件层、埋层氧化物 （BOX） 绝缘层和底部手柄晶圆层。
BOX 对精密设备进行绝缘，保护它们免受环境干扰，同时提高性能。内置于顶层器件层的晶体管推动了 SOI 技术的速度和效率提升。它们允许复杂的节能配置，并减少宇宙射线或辐射造成的数据丢失。
随着 SOI 晶圆的加入，WaferPro 现在为寻求下一代创新的研发团队和制造商提供了这种先进的衬底选项。我们的 SOI 晶圆将尖端设计潜力与我们久经考验的晶圆制造质量相结合。
SOI 硅片的类型
厚SOI晶圆：1um-300um
超薄SOI晶圆:<500nm
均匀SOI晶圆: 厚款：+-0.5um/薄款：+-10nm
扁平SOI晶圆:BOW/WARP/TTV
SOI 晶圆具有很强的可定制性，并且参数可根据您的需要非常灵活。
| SOI 餐厅 | 直径 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 设备层 | 类型 | P ， N ， 内在的 | |||||
| 掺杂 | B ， Ph ， 未掺杂 | ||||||
| 取向 | ( 1-0-0 ) , ( 1-1-1 ) | ||||||
| 电阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 10,000+ | ||||||
| 厚度 （μm） | 0.05 – 300 | ||||||
| 均匀 | ± 10nm ， ± 0.5μm ， ± 1μm | ||||||
| BOX 层 | BOX 厚度 | 1,000 安培 – 3 微米 | |||||
| BOX 均匀性 | ≤ ± 5 % | ||||||
| 手柄层 | 类型 | P ， N ， 内在的 | |||||
| 掺杂 | B ， Ph ， 未掺杂 | ||||||
| 取向 | ( 1-0-0 ) , ( 1-1-1 ) | ||||||
| 电阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 10,000+ | ||||||
| 厚度 （μm） | 200 – 750 | ||||||
| 均匀度 （μm） | ≤ ± 15 | ||||||
| 完成 | SSP 、 DSP | ||||||
