WaferPro 提供优质的浮球区 （FZ） 硅晶片，以满足不断增长的纯度需求。FZ Silicon 具有极低的氧和碳杂质，可为关键应用提供无与伦比的质量。
这些晶圆针对太阳能芯片、射频电路、精密功率器件和太赫兹计算进行了优化，为尖端创新提供了动力。其超纯单晶结构增强了电气特性，可实现高精度电流控制和复杂功能。
无论是通过提高灵敏度实现下一代传感器，还是将功率设备推向新的水平，我们的浮球区晶圆都是追求硅性能极限的客户的理想选择。由于新兴技术需要更高的速度、效率和功能，因此依靠 WaferPro 的浮区硅将愿景变为现实。
我们致力于满足最严格的纯度规格，我们提供FZ 晶圆准备好在现在和未来几年推动高科技行业的未来。
可选类型
高电阻率浮区硅片是最常见的 FZ 晶片类型。它们由电阻率大于 1,000 ohm-cm 的高纯度 FZ 锭制成。这些晶圆非常适合 RF MEMS 开关、发射器和接收器芯片以及微波和毫米波电路和设备。
未掺杂浮子区 (FZ) 硅晶片是使用浮子区方法生长的硅衬底，没有故意引入掺杂剂原子。它们是本征型的，具有大于 10,000 ohm-cm 的高电阻率。
NTD FZ 晶片由未掺杂的高纯度 FZ 锭制成，这些锭使用中子嬗变掺杂掺杂工艺进行掺杂。这会产生电阻率范围较低但更严格的 N 型材料。这些晶片用于制造半导体功率器件的组件
气体掺杂 FZ 晶片由 F2 铸锭制成，该铸锭有意掺杂了在熔融界面处引入的气态掺杂剂。这个过程沿铸锭的长度提供了良好的均匀性。
FZ 晶圆具有很强的可定制性，并且参数可根据您的需要非常灵活。
| 直径 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 类型 | P、N、内在函数 | ||||||
| 掺杂 | 硼 （B）， 磷 （Ph）， 未掺杂 | ||||||
| 取向 | （1-0-0）、（1-1-1）、（1-1-0）、自定义 | ||||||
| 电阻率 （ohm-cm） | 1 – 30,000+ | ||||||
| 厚度 （um） | 20 – 2,000+ | ||||||
| 平面/缺口 | 无平， SEMI 主要平屋， Jeida 平屋， 2 个 SEMI 平屋， 缺口 | ||||||
| 完成 | SSP、DSP | ||||||
凭借数十年制作浮法区晶圆的专业知识，WaferPro 提供您可以信赖的无与伦比的质量。我们技术娴熟的工程师对很少有人能够复制的复杂制造工艺进行了微调，在不影响结构完整性的情况下精心设计了超纯生长。FZ 硅片具有以下特点：
- 卓越的均匀性：WaferPro FZ 晶圆的杂质和缺陷密度极少，可在最重要的地方提供一致的性能。
- 无与伦比的定制：我们根据您的确切应用需求定制氧含量、电阻率、晶体取向、厚度和直径。
- 保证可靠性：严格的质量控制验证了晶圆的完整性，以实现可靠的长期功能。
当您需要针对您的前沿要求进行优化的可靠浮区硅时，请选择 20 多年来专注于完善这些晶圆的专家。WaferPro 拥有卓越的技术专长和卓越的制造能力，可以满足您所有的 FZ 晶圆需求。
