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浮区法硅片
WaferPro 提供优质的浮区法（FZ）硅片，以满足日益增长的纯度需求。浮区法硅片具有极低的氧和碳杂质，为关键应用提供了无与伦比的质量。
这些硅片针对太阳能芯片、射频电路、精密功率器件和太赫兹计算进行了优化，助力尖端创新。其超纯单晶结构增强了电气性能，可实现高精度的电流控制和复杂功能。
无论是通过增强灵敏度实现下一代传感器，还是将功率设备推向新高度，我们的浮区法硅片都是追求硅性能极限的客户的理想选择。随着新兴技术对速度、效率和能力的要求不断提高，依赖 WaferPro 的浮区法硅片，将愿景变为现实。
我们致力于满足最严格的纯度规格，提供浮区法硅片，推动高科技行业现在及未来的发展。
浮区法硅片的类型
- HIRES FZ – 高电阻率浮区法硅片
高电阻率浮区法硅片是最常见的 FZ 硅片类型。它们由高纯度 FZ 晶锭制成，电阻率大于 1,000 ohm-cm。这些硅片非常适合用于 RF MEMS 开关、发射器和接收器芯片以及微波和毫米波电路与器件。 - UNDOPED FZ – 未掺杂浮区法硅片
未掺杂浮区法硅片是通过浮区法生长的硅基板，未有意引入掺杂原子。它们属于本征型，电阻率大于 10,000 ohm-cm。 - NTD FZ – 中子掺杂浮区法硅片
NTD FZ 硅片由未掺杂的高纯度 FZ 晶锭制成，通过中子嬗变掺杂（NTD）辐照工艺进行掺杂。这会产生电阻率较低但范围更窄的 N 型材料。这些硅片用于制造半导体功率器件的组件。 - GD FZ – 气体掺杂浮区法硅片
气体掺杂 FZ 硅片由在熔体界面引入气态掺杂剂的 FZ 晶锭制成。该工艺使晶锭沿长度方向具有良好的均匀性。
浮区法硅片的关键应用
以下是浮区法硅片的一些关键应用领域：
- 功率器件
浮区法硅片用于制造高功率器件。 - 分立半导体
浮区法硅片用于生产高功率分立晶体管以及射频功率放大器。 - 计量标准
用作材料特性测量（如热导率）的校准标准。 - 辐射探测器
高灵敏度的浮区法探测器用于医学成像和核/粒子物理研究。 - MEMS 谐振器
浮区法硅片的声学特性对生产低损耗 MEMS 谐振器参考设备非常有价值。 - 光电子学
LED 发射器和激光二极管等特殊电子产品受益于浮区法材料的高质量。 - 放大器
浮区法硅片是制造超低噪声中频（IF）、射频（RF）和微波半导体放大器的关键材料。 - 数据转换器
浮区法硅片支持精确的模数转换和数模转换集成电路（IC）的制造。 - 音频组件
用于前置放大器、均衡器等的高保真级模拟集成电路。
我们的能力
FZ 硅片具有极高的定制性，可根据您的需求灵活调整参数。
| 规格 | 参数 |
|---|---|
| 直径 | 2” (50.8mm)、3” (76.2mm)、4” (100mm)、5” (125mm)、6” (150mm)、8” (200mm)、12” (300mm) |
| 类型 | P型、N型、本征型 |
| 掺杂剂 | 硼 (B)、磷 (Ph)、未掺杂 |
| 取向 | (1-0-0)、(1-1-1)、(1-1-0)、定制 |
| 电阻率 (Ω·cm) | 1 – 30,000+ |
| 厚度 (µm) | 20 – 2,000+ |
| 平边/缺口 | 无平边、SEMI主平边、Jeida平边、2个SEMI平边、缺口 |
| 表面处理 | SSP（单面抛光）、DSP（双面抛光） |
我们畅销的的产品
为什么选择我们？
WaferPro：浮区法硅片的领导者
作为高电阻率硅片的供应商，WaferPro 凭借数十年的专业经验，提供无与伦比的高质量产品，值得您的信赖。我们的技术工程师精心优化了复杂的制造工艺，这种工艺几乎无人能够复制，既实现了超高纯度的生长，又确保了结构的完整性。我们的浮区法硅片具有以下优势：
- 卓越的均匀性：WaferPro 的浮区法硅片杂质和缺陷密度极低，在关键领域提供一致的性能。
- 无与伦比的定制化：我们根据您的应用需求，定制氧含量、电阻率、晶向、厚度和直径。
- 可靠的保证：严格的质量控制确保硅片的完整性，提供长期稳定的功能。
当您需要为前沿需求优化且可靠的浮区法硅片时，请选择专注于此类硅片制造超过 20 年的专家。WaferPro 拥有技术专长和卓越的制造能力，能够满足您所有的浮区法硅片需求。
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