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绝缘体上硅 (SOI) 晶圆
WaferPro 现提供高质量的绝缘体上硅（SOI）晶圆，进一步扩展了我们全面的硅晶圆产品线。我们顶级的 SOI 晶圆针对从传感器到功率组件的多种应用进行了优化。
与 CMOS 器件相比，基于 SOI 晶圆制造的芯片速度提高了 30%，功耗降低了 80%。SOI 结构由三层组成：用于晶体管制造的上层有源器件层、埋氧层（BOX）绝缘层以及底层支撑晶圆层。
埋氧层（BOX）隔离了精密器件，使其免受环境干扰，同时提升了性能。构建在上层器件层中的晶体管推动了 SOI 技术的速度和效率提升。它们支持复杂的节能配置，并减少了宇宙射线或辐射造成的数据丢失。
随着 SOI 晶圆的加入，WaferPro 现在为追求下一代创新的研发团队和制造商提供了这一先进的基板选择。我们的 SOI 晶圆将尖端设计潜力与经过验证的晶圆制造质量相结合。
SOI 晶圆的类型
定制化是 WaferPro 的重要基石，我们始终尽力满足您的所有需求。基于这一理念，WaferPro 提供以下类型的 SOI 晶圆：
- 厚膜 SOI 晶圆
此类晶圆的器件厚度为 1µm 至 300µm。 - 超薄 SOI 晶圆
此类晶圆的器件厚度小于 500nm。 - 超高均匀性 SOI 晶圆
器件厚度的均匀性可低至厚膜 SOI 的 ±0.5µm 和超薄 SOI 的 ±10nm。 - 超平坦 SOI 晶圆
此类 SOI 晶圆具有极低的弯曲度（BOW）/翘曲度（WARP）/总厚度变化（TTV），适用于特定应用。
SOI 硅片的主要应用
| 应用领域 | 描述 |
|---|---|
| 低功耗集成电路 | SOI 技术使得制造低泄漏、低功耗的集成电路成为可能，适用于移动设备。 |
| 高速电子器件 | 超高速开关 RF SOI 器件用于 5G、WiFi 6 和雷达通信系统。 |
| 低噪声放大器 | SOI 硅片非常适合制造超低噪声的中频（IF）、射频（RF）半导体放大器。 |
| 汽车电子 | 坚固耐用的 SOI 芯片满足汽车电子的可靠性和温度要求。 |
| 光子学 | SOI 硅片适用于将电子学与光子学集成，用于光学收发器和传感器。 |
| MEMS | SOI 硅片适合用于特殊的 MEMS 加速度计、陀螺仪等器件的基板。 |
| 航天集成电路 | 优异的辐射硬度和宽温度耐受性，适用于航天电子器件。 |
| 生物医学 | 采用 SOI 微机械加工制造的一次性生物传感器和 DNA 微阵列。 |
| 智能电力 | 将高电压电力器件与控制逻辑集成在 SOI 硅片上。 |
我们的能力
SOI 硅片具有极高的定制性，参数可以根据您的需求灵活调整。
| 规格 | 参数 |
|---|---|
| SOI 硅片直径 | 2” (50.8mm)、3” (76.2mm)、4” (100mm)、5” (125mm)、6” (150mm)、8” (200mm) |
| 器件层类型 | P型、N型、本征型 |
| 掺杂剂 | 硼 (B)、磷 (Ph)、未掺杂 |
| 取向 | (1-0-0)、(1-1-1) |
| 电阻率 (Ω·cm) | 0.001 – 10,000+ |
| 厚度 (μm) | 0.05 – 300 |
| 均匀性 | ± 10nm、± 0.5μm、± 1μm |
| BOX 层厚度 | 1,000A – 3μm |
| BOX 均匀性 | ≤ ± 5% |
| 承载层类型 | P型、N型、本征型 |
| 掺杂剂 | 硼 (B)、磷 (Ph)、未掺杂 |
| 取向 | (1-0-0)、(1-1-1) |
| 电阻率 (Ω·cm) | 0.001 – 10,000+ |
| 厚度 (μm) | 200 – 750 |
| 均匀性 | ≤ ± 15 |
| 表面处理 | SSP（单面抛光）、DSP（双面抛光） |
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