WaferPro,硅热氧化硅片 (SiO2),2″ 到 300mm硅片,WaferPro进口代理,WaferPro 提供高质量的硅热氧化硅片，尺寸范围从 2″ 到 300mm。我们通过选择优质且无缺陷的硅片作为基板，确保满足您的特定要求，从而在炉中形成高均匀性的热氧化层。
硅热氧化硅片 (SiO2)
WaferPro 提供高质量的硅热氧化硅片，尺寸范围从 2″ 到 300mm。我们通过选择优质且无缺陷的硅片作为基板，确保满足您的特定要求，从而在炉中形成高均匀性的热氧化层。
在微技术中，主要的绝缘材料是二氧化硅（SiO2）。为了生成绝缘的氧化层，使用热氧化工艺，这是最常用的获得氧化层的方法。该过程在炉中进行。
任何数量的订单都可以下，最小批量为 25 片硅片。
热氧化类型
在该方法中，氢气和高纯度氧气的混合物在约 1000°C 的温度下燃烧，产生水蒸气。虽然这种方法可能不会生产出非常高质量的最终产品，并且可能仅用作掩膜层，但它的优势在于其比干氧化产生更高的生长速率。
湿法热氧化（双面氧化）
- 薄膜厚度：500Å – 10µm（双面）
- 薄膜厚度公差：目标值 ±5%
- 薄膜应力：-320±50 MPa（压缩）
湿法热氧化（单面氧化）
- 薄膜厚度：500Å – 10,000Å（单面）
- 薄膜厚度公差：目标值 ±5%
- 薄膜应力：-320±50 MPa（压缩）
干法热氧化（双面氧化）
- 薄膜厚度：100Å – 3,000Å（双面）
- 薄膜厚度公差：目标值 ±5%
- 薄膜应力：-320±50 MPa（压缩）
干法热氧化（单面氧化）
- 薄膜厚度：100Å – 3,000Å（单面）
- 薄膜厚度公差：目标值 ±5%
- 薄膜应力：-320±50 MPa（压缩）
干氯化热氧化与形成气体退火
- 薄膜厚度：100Å – 3,000Å（双面）
- 薄膜厚度公差：目标值 ±5%
- 薄膜应力：-320±50 MPa（压缩）
- 处理方式：双面处理
硅热氧化硅片的关键应用
以下是一些带有热氧化层硅片的关键应用领域：
集成电路
使用热氧化硅片制造的栅氧化层、场氧化层、金属间介质层。MEMS（微机电系统）
热氧化层为 MEMS 设备提供出色的电气隔离。光电子学
热氧化用于硅光子学中的电气/光学隔离层。功率器件
热氧化层为高压功率电子器件提供介电隔离。辐射硬化
退火后的热氧化层帮助减轻航天集成电路中的辐射损伤。钝化
热氧化层具有优越的界面特性，非常适合用于芯片的钝化层。扩散掩膜
作为扩散屏障，在器件制造中用于选择性掺杂/植入步骤。气体传感
多孔热氧化膜的反应性气体渗透性使其能够用于化学电阻式传感器。生物传感器
使表面能够进行生物功能化，以选择性地亲和目标分析物。
定制热氧化薄膜
WaferPro 提供单面和双面热氧化硅片，以满足各种应用需求。
我们的标准产品是双面氧化硅片，经过控制的热氧化处理，硅基板两面形成均匀的二氧化硅层。然而，我们也提供定制的单面氧化硅片，根据您的特定需求量身定制。这些单面氧化硅片从双面氧化硅片开始，通过使用缓冲氟化氢酸蚀刻剂选择性地去除一面二氧化硅层。
这种灵活的氧化硅片制造方式使我们能够提供少量批次的单面和双面氧化硅片组合。无论您是需要用于工艺开发、材料分析，还是大批量生产，我们都能提供适合您应用的精确氧化硅片配置。
我们畅销的产品
https://www.bihec.com/waferpro-wafers/WaferPro,硅热氧化硅片 (SiO2),2″ 到 300mm硅片,WaferPro进口代理/
https://zhuanlan.zhihu.com/p/1886389327690449363
