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氮化硅晶圆 (Si₃N₄)
WaferPro 为您的硅片需求提供多种薄膜处理选项。这包括 LPCVD 氮化硅，我们可以提供化学计量比 LPCVD 氮化硅、低应力 LPCVD 氮化硅以及超低应力 LPCVD 氮化硅。我们还提供高质量的 PECVD 氮化硅、低应力 PECVD 氮化硅以及 PECVD 氮氧化硅。晶圆直径从 2 英寸到 300 毫米不等，氮化硅厚度从 100Å 到 20,000Å 可选。
支持任意数量的订购，最小批量订单为 25 片晶圆。
LPCVD和PECVD氮化物的类型
LPCVD氮化物 – 低压化学气相沉积氮化物
- 同时沉积在晶圆的两侧。
- 适用于对温度不敏感的场合。
- 较高的工艺温度，生成更稳定、更高纯度的薄膜。
PECVD氮化物 – 等离子体增强化学气相沉积氮化物
- 仅沉积在晶圆的单侧。
- 更适用于需要较低工艺温度的场合。
化学气相沉积（CVD）氮化物类型及参数
化学计量LPCVD氮化物
- 膜厚度：100Å – 4500Å（两侧）
- 膜应力：≥800±50 MPa 拉伸应力
低应力LPCVD氮化物
- 膜厚度：100Å – 20,000Å（两侧）
- 膜应力：<250±50 MPa 拉伸应力
超低应力LPCVD氮化物
- 膜厚度：100Å – 20,000Å（两侧）
- 膜应力：<100±50 MPa 拉伸应力
PECVD氮化物
- 膜厚度：100Å – 5000Å（单侧）
- 膜应力：+400±50 MPa 拉伸应力
低应力PECVD氮化物
- 膜厚度：100Å – 20,000Å（单侧）
- 膜应力：<250±50 MPa 拉伸应力
PECVD氧氮化物
- 膜厚度：100Å – 20,000Å（单侧）
- 膜应力：-400±50 MPa 拉伸应力
硅氮化物晶圆的主要应用
MEMS（微机电系统）
硅氮化物常用于制造MEMS传感器、执行器和微流体器件。
光电子
硅氮化物适用于波导、LED、光电探测器和光纤封装。
功率器件
硅氮化物作为高压功率电子和无线充电设备的优良绝缘材料。
航天系统
硅氮化物在宽温度范围内的可靠性，使其适用于航空电子系统。
承载晶圆
硅氮化物的绝缘强度使其能够在背面研磨过程中支撑器件晶圆。
生物医学器件
硅氮化物的化学惰性使其兼容于植入物和芯片实验室中的生物流体。
自旋电子学
硅氮化物的超低电荷捕获密度有助于在自旋输运电子设备中的应用。
集成电路
硅氮化物用作芯片制造中晶体管侧壁间隔层和钝化层。
微反应器
硅氮化物的抗污染表面有助于用于特殊化学反应的微反应器
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