WaferPro PRIME SEMI 标准 CZ 晶圆 Prime硅片 测试硅片 再生硅片 超薄硅片 超厚硅片

WaferPro 为全球 12,000 多家客户提供最优质的硅晶圆，包括财富 500 强公司、领先的半导体制造商、MEMS 代工厂、一流的研究机构和顶尖大学。

WaferPro 提供全面的直拉 CZ 硅片、Float Zone FZ 硅片、SOI 硅片和玻璃片，范围从非抛光到超薄晶圆。

硅片

测试硅片：

也称为 Monitor 或 Dummy 晶圆。测试晶圆的规格比 Prime 晶圆更宽或更宽松。它们可以是不符合所有规格的 Prime 晶圆，因此被归类为 Prime 晶圆。

应用： • 设备设置和测试 • 生产过程评估 • 工艺开发等。

再生硅片：

回收晶圆是已用于制造的 Prime 和 Test 晶圆。它们经过化学和/或机械处理，可作为裸硅片重复使用。
虽然这些晶圆可能比原始测试晶圆略薄，但它们通常可以作为低成本替代品用于许多相同的工艺中。

超薄硅片：

我们的超薄硅片厚度为 10-50 微米。这些精致而灵活的晶圆支持微机电系统 （MEMS）、高级 CMOS 逻辑等领域的创新新器件和组件。

超厚硅片：

我们的超厚抛光硅片厚度可达 3 毫米，可处理标准商业厚度不够耐用的高能量应用。常见用途包括电源设备和传感器。

切片硅片：

我们提供标准的硅衬底，可根据您的确切芯片尺寸和布局要求精确切割成更小的矩形块。这是原型、试生产和中小批量生产的最佳选择。

含热氧化物 SiO2 的硅晶片：

WaferPro 提供硅热氧化物晶圆.

这些硅片经过湿式热氧化或干式热氧化工艺，在晶圆表面“生长”热氧化物或二氧化硅 （Sio2） 层。这是通过将晶圆暴露在氧化剂和热量的组合中来实现的。氧化物最常用作介电层和 MEMS 器件。热氧化物在晶圆的两侧生长，但如果需要单面氧化层，则可以从一侧去除。

采用 LPCVD 或 PECVD 氮化物 SiN 的硅晶片：

我们提供带有两种氮化物薄膜的晶圆。

LPCVD 氮化物– 低压化学气相沉积氮化
物同时应用于晶圆的两侧。它用于温度不重要的地方。更高的温度过程，导致更稳定、更高纯度的薄膜。

PECVD 氮化物– 等离子体增强化学气相沉积氮化
物仅应用于晶圆的一侧。当需要较低温度的工艺时，它更合适。

带金属薄膜的硅晶片：

为了实现互连性和功能性，我们在硅晶片上提供 PVD 溅射沉积金属薄膜和电子束蒸发金属层。薄膜非常均匀，厚度精确控制到埃级。常见金属包括铝、金、铂、钛、镍等。

定制硅片

WaferPro 优先考虑满足您精确的晶圆规格。我们根据您的具体项目需求制造定制的硅片，其能力涵盖：

• 薄型或厚型
• 定制扁平长度
• 特殊电阻率范围
• 超平坦表面
• 多种薄膜类型（氧化物、氮化物、金属、薄膜堆栈、多晶硅、氮氧化物）

我们不是采取一刀切的方法，而是与您合作，了解并满足您的特定要求。我们可定制的晶圆制造服务使组织能够将其基于硅的创新变为现实。