WaferPro 绝缘体硅（SOI）晶圆芯片制造提速厚S0I晶圆超薄SO1晶圆超均匀SO1晶圆超扁平SOI晶圆

绝缘体晶片上的硅

WaferPro 现在提供优质的绝缘体上硅（SOI）晶圆，扩展了我们全面的硅晶圆产品。我们的顶级 SOI 晶圆针对从传感器到功率元件的各种应用进行了优化。

与 CMOS 器件相比，在 SOI 晶圆上制造的芯片速度提高了 30%，功耗降低了 80%。SOI 结构由三层组成：用于晶体管制造的顶部有源器件层、埋层氧化物（BOX）绝缘层和底部手柄晶圆层。

BOX 对精密设备进行绝缘，保护它们免受环境干扰，同时提高性能。内置于顶层器件层的晶体管推动了 SOI 技术的速度和效率提升。它们允许复杂的节能配置，并减少宇宙射线或辐射造成的数据丢失。

随着 SOI 晶圆的加入，WaferPro 现在为寻求下一代创新的研发团队和制造商提供了这种先进的衬底选项。我们的 SOI 晶圆将尖端设计潜力与我们久经考验的晶圆制造质量相结合。

可定制性是 WaferPro 的主要基石，我们始终尽最大努力满足您的所有需求。从本质上讲，WaferPro 提供以下类型的 SOI 晶圆：

厚 SOI 晶圆：

这种类型的晶圆的器件厚度从 1μm 到 300μm 不等。

超薄 SOI 晶圆：

这种类型的晶圆具有器件厚度 <500nm。

超均匀 SOI 晶圆：

对于厚 SOI，器件厚度的均匀性可低至 ±0.5μm，对于超薄 SOI，器件厚度的均匀性可低至 ±10nm。

超扁平 SOI 晶圆：

这种类型的 SOI 对于特定应用具有非常低的 BOW/WARP/TTV。