WaferPro 硅热氧化物晶圆 SiO2 2 英寸到 300 毫米所有直径的高质量硅热氧化物晶圆 无缺陷硅晶片衬底

硅热氧化物晶圆 SiO2

WaferPro 提供从 2 英寸到 300 毫米的所有直径的高质量硅热氧化物晶圆。我们通过选择优质且无缺陷的硅晶片作为衬底来确保满足您的特定要求，以便在炉中形成高度均匀的热氧化物层。

在微技术中，使用的主要绝缘材料是二氧化硅，在化学符号中写为 SiO2。为了产生绝缘氧化层，使用了热氧化，这是获得该层最常用的技术。获得该层的过程是在熔炉中进行的。

可以订购任意数量的晶圆，最小批量订购量为 25 片晶圆。

热氧化物的类型

在这种方法中，氢气和高纯度氧气的混合物在 ~1000°C 下燃烧，从而产生水蒸气。虽然这种方法可能无法产生非常高质量的最终产品，并且只能用作掩蔽层，但它的优势在于它产生比干式氧化更高的生长速率。

晶圆两侧的湿热氧化物：

薄膜厚度：两侧 500Å – 10μm
薄膜厚度公差：目标 ±5%
薄膜应力：– 320±50 MPa 压缩

晶圆单侧的湿热氧化物：

薄膜厚度：两侧 500Å – 10,000Å
薄膜厚度 公差：目标 ±5%
薄膜应力：-320±50 MPa 压缩

晶片两侧干燥的热氧化物：

薄膜厚度：两侧 100Å – 3,000Å
薄膜厚度 公差：目标 ±5%
薄膜应力：– 320±50 MPa 压缩

晶圆单侧干燥的热氧化物:

薄膜厚度：两侧 100Å – 3,000Å
薄膜厚度 公差：目标 ±5%
薄膜应力：– 320±50 MPa 压缩

我们的质量

二氧化硅晶片作为对现代半导体至关重要的高质量介电材料，发挥着至关重要的作用。与半导体金属相比，SiO2 无与伦比的绝缘性能可实现复杂的器件几何形状并增强性能。氧化层还有助于在纳米级制造过程中进行选择性蚀刻和掩蔽作。

除了半导体之外，氧化物晶片还作为防潮层、结构部件或钝化层集成到微机电系统 （MEMS） 中。我们的氧化物晶圆质量确保 MEMS 工程师能够依靠二氧化硅的机械弹性来制造复杂的机械结构和流体系统。

对于任何需要可靠二氧化硅晶圆的应用，请相信 WaferPro 的专业工程和严格的质量保证。