WaferPro 氮化硅晶片 Si3N4 提供化学计量 LPCVD 氮化物或低应力 LPCVD 氮化物 超低应力 LPCVD 氮化物 高质量的 PECVD 氮化物、低应力 PECVD 氮化物和 PECVD 氧氮化物 直径为 2 英寸至 300 毫米，氮化物厚度为 100Å 至 20,000Å
氮化硅晶片
氮化硅晶片 Si3N4
WaferPro 为您的硅需求提供了多种薄膜加工选项。这包括 LPCVD 氮化物，WaferPro 可以为晶圆提供化学计量 LPCVD 氮化物或低应力 LPCVD 氮化物，以及超低应力 LPCVD 氮化物。我们还提供高质量的 PECVD 氮化物、低应力 PECVD 氮化物和 PECVD 氧氮化物。晶圆直径为 2 英寸至 300 毫米，氮化物厚度为 100Å 至 20,000Å。
可以订购任意数量的晶圆，最小批量订购量为 25 片晶圆。
LPCVD 和 PECVD 氮化物的类型
LPCVD 氮化物 – 低压化学气相沉积氮化物
– 同时应用于晶圆的两侧。
– 在温度不关键的地方使用。
– 更高的温度过程，导致更稳定、更高纯度的薄膜。
– 仅应用于晶圆的一侧。
– 更适合需要低温工艺时。
化学计量 LPCVD 氮化物：
薄膜厚度：两侧 100Å – 4500Å
薄膜应力：=>800±50 MPa 拉伸应力
低应力 LPCVD 氮化物：
薄膜厚度：两侧 100Å – 20,000Å
薄膜应力：<250±50 MPa 拉伸应力
超低应力 LPCVD 氮化物：
薄膜厚度：两侧 100Å – 20,000Å
薄膜应力：<100±50 MPa 拉伸应力
PECVD 氮化物：
薄膜厚度：+一侧
100Å – 5000Å 薄膜应力：+400±50 MPa 拉伸应力
低应力 PECVD 氮化物：
薄膜厚度：一侧 100Å – 20,000Å
薄膜应力：<250±50 MPa 拉伸应力
PECVD 氮氧:
薄膜厚度：一侧 100Å – 20,000Å
薄膜应力：-400±50 MPa 拉伸应力
我们的质量
在 WaferPro，质量是氮化硅薄膜的重中之重。我们利用先进的低压化学气相沉积 （LPCVD） 和等离子体增强化学气相沉积 （PECVD） 工艺来生产氮化物薄膜，这些薄膜以其稳定性、一致性和对器件制造至关重要的出色物理特性而闻名。
通过对我们专有沉积技术的广泛研究和持续改进，我们能够优化关键的氮化物薄膜质量，如一致性、均匀厚度、低内在应力、高温下的热稳定性和精确的成分控制。因此，我们的 LPCVD 和 PECVD 氮化物薄膜可沿晶圆边缘、高纵横比特征以及结构化或图案表面提供出色的台阶覆盖率，同时保持无针孔完整性。
这种质量水平为我们的客户提供了非常高的制造良率，并支持商业半导体生产所必需的可靠、可重复的器件性能。无论应用需要超低缺陷绝缘体、扩散屏障、机械增强层还是先进的介电材料，我们的氮化物薄膜都具有经过验证的稳定性和一致性，可以满足需求。
我们拥有数十年的综合经验，可帮助客户为硅晶片制造和先进微电子器件提供 PECVD 和 LPCVD 氮化物薄膜解决方案。
