WaferPro 3“ （76.2mm） 高电阻率浮区硅片
WaferPro 是值得信赖的高质量半导体材料供应商，我们的 3 英寸（76.2 毫米）高电阻率浮区硅片也不例外。这些晶圆采用浮球区 （FZ） 方法生产，可产生极纯的硅，具有出色的抗蚀剂活性，使其成为需要低杂质水平和高电阻的敏感应用的理想选择。
主要规格：
| 规范 | 价值 |
|---|---|
| 直径 | 76.2 毫米±0.2 毫米 |
| 生长方式 | 浮子区 （FZ） |
| 弓 | ≤20微米 |
| 经线 | ≤20微米 |
| 总厚度变化 （TTV） | ≤5微米 |
| TIR | ≤3微米 |
| 搅拌 | ≤1.5微米 |
| 粒子 | ≤10@≥0.3微米 |
| 少数运营商生命周期 | ≥1000μ秒 |
| 氧气浓度 | ≤1 ppma |
| 碳浓度 | ≤0.5 ppma |
| 表面粗糙度 Ra | ≤5Å |
主要特点：
- 超高纯度：晶圆由具有高电阻率的超纯硅制成，适用于高性能应用。
- 卓越的表面质量： 提供外延就绪表面，确保外延层生长的最佳条件。
- 单晶硅：由单晶浮球区硅制成，提供均匀且无缺陷的基板。
- 符合标准：晶圆的直径、厚度和电气特性达到或超过 SEMI 标准。
- 广泛的应用范围：非常适合用于功率器件、高频电子设备、辐射探测器和其他专用半导体应用。
- 严格的质量控制：每个晶圆都经过彻底的检查和质量控制流程，以确保符合规格。
- 洁净室包装：晶圆在洁净室条件下包装以防止污染，确保它们以原始状态到达。
主要应用：
我们的 3 英寸 （76.2mm） 高电阻率浮区硅片用于各种高科技应用，包括：
- 功率半导体器件
- 射频 （RF） 和微波组件
- 高精度传感器和探测器
- 先进电子领域的研发
- 光伏应用
