VacTechniche,2英寸磁控溅射源,GT02,GT20,2英寸磁控溅射源,GT02 和 GT20,VacTechniche的GT02和GT20 2英寸磁控溅射源专为先进材料研究和工业应用中的精密薄膜沉积而设计。
- 紧凑设计：确保腔室空间的高效利用，同时提供最佳的靶材利用率。
- 卓越性能：设计用于均匀沉积、高靶材利用率和最小化污染。
- 广泛兼容性：兼容多种材料，包括金属、合金和陶瓷。
- 坚固结构：在高真空环境中具有耐用性和一致性能。
这些溅射源旨在满足尖端研发设施和生产设备的需求，每次都能提供可靠性和精确性。
溅射RF和DC磁控管
DC溅射
也称为直流二极管溅射，是最基本的溅射类型。通过使用负偏置电压，氩离子被加速向阴极移动。当氩离子与阴极（靶材放置处）碰撞时，靶材物质被溅射并随后沉积在基板上。
RF溅射
适用于电绝缘或介电靶材或基板（如陶瓷）。与DC溅射相比，它允许使用更低的氩气压力（1-15 mTorr vs 100 mTorr），从而减少腔室中的气体杂质浓度，同时由于气体碰撞减少，沉积的视线也得到改善。
磁控溅射
该溅射技术通过将离子和电子集中在阴极上方的受限区域，显著提高了溅射速率。通过使用磁场将电子捕获在靶材附近，氩的电离大大增加，同时进一步将气体压力降低至0.5 mTorr，从而进一步改善沉积的视线。
2英寸磁控管
特点
- 宽均匀侵蚀区域：确保稳定运行，靶材寿命期间分布和均匀性/速率变化最小。
- 几乎整个靶材表面的活性等离子体放电：保持靶材清洁并减少导致电弧的绝缘膜生长。
- 无需外部歧管和其他等离子体干扰硬件：减少定期维护频率。
- 提供2英寸直径靶材。
- 内部和法兰安装配置。
- 可用于DC、脉冲DC、RF模式。
- 70-90%靶材利用率。
- 在低压和低温下完全化学计量的介电材料。
- 由于宽侵蚀区域和高效冷却，速率提高20%。
机械规格表
GT02 和 GT20 | 2英寸磁控溅射
| 型号 | 安装方式 | 靶材直径 | 靶材厚度 | 磁性材料 | 尺寸A | 尺寸B | 尺寸C | 尺寸E | 尺寸D |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT02 | 轴向 | 1.0″ (25.4 mm) | 2 mm | 是 | 41.4 mm | 44.5 mm | 80 mm | 110 mm | 180 mm |
| GT20 | 轴向 | 1.0″ (25.4 mm) | 2 mm | 是 | 41.4 mm | 44.4 mm | 80 mm | 110 mm | 110 mm |
技术规格
GT02 和 GT20 | 2英寸磁控溅射
| 项目 | GT02 | GT20 |
|---|---|---|
| 直径 | 2.0″ (50.8mm) | 2.0″ (50.8mm) |
| 厚度 | 非磁性靶材可达1/4″；磁性靶材可达1/16″ | 非磁性靶材可达1/4″；磁性靶材可达1/16″ |
| 利用率 | 高达70% | 高达70% |
| 等离子体源 | DC（最大）250 W；RF（最大）300 W | DC（最大）250 W；RF（最大）300 W |
| 水冷却（必需） | 流量要求：1/2 GPM，过滤 | 流量要求：1/2 GPM，过滤 |
| 水入口温度 | <20°C | <20°C |
| 水连接 | 0.25″ O.D 管 | 0.25″ O.D 管 |
| 电气连接器 | 标准N型（DC和RF） | 标准N型（DC和RF） |
| 保修 | 一年有限保修，终身支持 | 一年有限保修，终身支持 |
| 真空法兰与馈通（可选） | 可根据要求提供6″ CF法兰和高真空馈通（额外费用）。溅射头可通过快速连接器轻松安装在6″ CF真空法兰上。溅射枪的高度位置可在真空室内手动调整。 | 可根据要求提供6″ CF法兰和高真空馈通（额外费用）。溅射头可通过快速连接器轻松安装在6″ CF真空法兰上。溅射枪的高度位置可在真空室内手动调整。 |
| 净重 | 3.5磅 | 5.5磅 |
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