VacTechniche Ltd GT02/GT20- 2英寸溅射射频和DC磁控管 VacTechniche进口代理
VacTechniche GT02/GT20– 2英寸溅射射频和DC磁控管
2” Magnetron Sputtering
VacTechniche的GT02和GT20 2 “磁控溅射源专为先进材料研究和工业应用中的精密薄膜沉积而设计。
紧凑的设计:确保有效利用反应室空间，同时提供最佳的目标利用率。
性能优越:设计用于均匀沉积、高靶利用率和最小化污染。
多功能兼容性:与多种材料兼容，包括金属、合金和陶瓷。
坚固的结构:专为高真空环境下的耐用性和稳定性能而打造。
这些溅射源是为满足尖端R&D设备和生产设置的需求而定制的，每次都能提供可靠性和精确性。
溅射射频和DC磁控管
DC溅射
也称为直流二极管溅射，它是最基本的溅射类型。通过使用负偏压，离子化的氩阳离子被加速朝向阴极。当氩气与阴极(放置靶材料的地方)碰撞时，来自靶源的物质被喷射出来，随后沉积在衬底上。
射频溅射
它非常适合用于电绝缘或介电目标材料或基底，如陶瓷。它允许使用比DC对应装置低得多的氩气压力(1-15毫托对100毫托),这又降低了室中气体杂质的浓度，同时由于更少的气体碰撞也改善了沉积的视线。
磁控溅射
这种溅射特征通过将离子和电子集中在阴极上方的受限区域中，极大地提高了溅射速率。通过使用磁场在靶材料附近捕获电子，氩的离子化大大增加，同时还进一步将气体压力降低到0.5毫托，以进一步改善沉积的视线。
上述特性提高了沉积速率，减少了涂层的杂质，并允许在沉积中在较低的基底温度下操作。这种类型的溅射可以与DC或射频电源结合使用。
磁控管-2英寸
特征
广泛均匀的侵蚀区域导致稳定的操作，在整个靶寿命期间最小的分布和均匀性/速率变化。
几乎整个靶表面的活性等离子体放电保持靶清洁，减少导致电弧的绝缘膜生长。
增加所需定期维护频率的外部歧管和其他等离子体干扰硬件是不必要的。
提供直径为2英寸的目标。
内部和法兰安装配置。
可用于DC、脉冲DC和射频模式。
70-90重量%目标利用率
低压和低温下的全化学计量介电材料。
由于广泛的腐蚀区域和高效的冷却，速度提高了20%。
GT02 > 20 | 2 “磁控溅射管
| 模型 | 头戴式 | 目标直径 | 目标厚度 | 磁性材料 | 暗淡。A | 暗淡。B | 暗淡。C | 暗淡。E | 暗淡。D |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT02 | 轴的 | 1.0英寸(25.4毫米) | 2毫米 | 是 | 41.4毫米 | 44.5毫米 | 80毫米 | 110毫米 | 180毫米 |
| GT20 | 轴的 | 1.0英寸(25.4毫米) | 2毫米 | 是 | 41.4毫米 | 44.4毫米 | 80毫米 | 110毫米 | 110毫米 |
技术规范
GT02 > 20 | 2 “磁控溅射管
| 标题 | GT02 | GT20 |
|---|---|---|
| 直径 | 2.0英寸(50.8毫米) | 2.0英寸(50.8毫米) |
| 厚度 | 非磁性目标最大1/4英寸；磁性靶的最大尺寸为1/16英寸 | 非磁性目标最大1/4英寸；磁性靶的最大尺寸为1/16英寸 |
| 利用 | 高达70% | 高达70% |
| 等离子体光源 | DC(马克斯。)250 W | DC(马克斯。)250 W |
| RF(最大值。)300 W | RF(最大值。)300 W | |
| 水冷(必需) | 流量要求:1/2 GPM，过滤 | 流量要求:1/2 GPM，过滤 |
| 进水温度:< 20℃ | 进水温度:< 20℃ | |
| 水管接头:0.25英寸外径管。 | 水管接头:0.25英寸外径管。 | |
| 请告知我们您的冷水机组的管道尺寸，我们可以为您预先安装管件，但需要额外付费。 | 请告知我们您的冷水机组的管道尺寸，我们可以为您预先安装管件，但需要额外付费。 | |
| 水连接: | 0.25英寸气动管道 | 0.25英寸气动管道 |
| 电气连接器: | 标准N型(DC和射频) | 标准N型(DC和射频) |
| 保证 | 一年有限终身支持 | 一年有限终身支持 |
| 带馈通的真空法兰(可选) | 可根据要求额外收费提供带高真空馈通的6″ CF法兰。溅射头可以通过快速切断器轻松安装在6”CF真空法兰上。溅射枪的高度位置可以在真空室内手动调节。 | 可根据要求额外收费提供带高真空馈通的6″ CF法兰。溅射头可以通过快速切断器轻松安装在6”CF真空法兰上。溅射枪的高度位置可以在真空室内手动调节。 |
| 净重 | 3.5磅 | 5.5磅 |
