UniversityWafer,AlGaN/GaN异质结构晶圆,P型,AlGaN衬底(灯具/激光器/LED应用),衬底:蓝宝石[A]晶圆,表面处理,外延层
AlGaN衬底(灯具/激光器/LED应用)
高级顾问科学家询价:
- 需求:蓝宝石衬底镀AlGaN涂层
- 尺寸:直径≥1cm
- 厚度:200-500μm
UniversityWafer
产品编号DA18:
- 衬底:蓝宝石[A]晶圆
- 直径:50.8±0.3mm
- 厚度:430±25μm
- 晶向:C面±0.2°
- 主平边长度:16.0±1.0mm
- 表面处理:
- 双面外延级抛光
- 表面粗糙度Ra<0.3nm(AFM检测)
- 外延层:
- 未掺杂Al₀.₃GaN([100]晶向)
- 厚度:1μm
注:参考编号#164039获取价格详情
AlGaN/GaN异质结构晶圆需求
博士候选人询价:
- Al₂O₃ 2英寸:375-400μm SSP级(用于MOVPE法沉积AlGaN/GaN异质结构)
- SiC 4H 2英寸:375-400μm绝缘型(GaN晶体管应用)
- Si (111) 2英寸:375-400μm高阻型(晶体管制造)
用途:HFET技术转移(参考编号#171068)
P型AlGaN模板
博士后研究需求:
- P型GaN/AlGaN模板:
- 衬底:蓝宝石/石英(方形优先,熔点≥1000°C)
- 厚度:0.3-0.8μm(Mg掺杂)
- 需提供完整技术数据(电学/光学/机械/表面特性)
备注:圆形衬底可接受单片采购(参考编号#197858)
研究级AlGaN衬底
销售工程师询价:
- 2英寸c面蓝宝石衬底:
- AlGaN层厚度:200-300nm
- Si掺杂浓度:3-5×10¹⁸/cm³
- Al组分:20%与40%两种
| 衬底 | 直径 | 缓冲层 | 外延层/掺杂 | 厚度 |
|——|——|——–|————|——|
| 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | 本征GaN | 100nm |
| 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | 本征GaN | 300nm |
| 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | 本征Al10%GaN | 300nm |
| 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | Si掺杂Al20%GaN | 250nm |
| 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | Si掺杂Al40%GaN | 250nm |
(参考编号#102784)

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