UniversityWafer,AlGaN/GaN异质结构晶圆,P型

UniversityWafer,AlGaN/GaN异质结构晶圆,P型,AlGaN衬底(灯具/激光器/LED应用),衬底:蓝宝石[A]晶圆,表面处理,外延层

AlGaN衬底(灯具/激光器/LED应用)

高级顾问科学家询价

  • 需求:蓝宝石衬底镀AlGaN涂层
    • 尺寸:直径≥1cm
    • 厚度:200-500μm

UniversityWafer

产品编号DA18

  • 衬底:蓝宝石[A]晶圆
    • 直径:50.8±0.3mm
    • 厚度:430±25μm
    • 晶向:C面±0.2°
    • 主平边长度:16.0±1.0mm
  • 表面处理
    • 双面外延级抛光
    • 表面粗糙度Ra<0.3nm(AFM检测)
  • 外延层
    • 未掺杂Al₀.₃GaN([100]晶向)
    • 厚度:1μm

:参考编号#164039获取价格详情

AlGaN/GaN异质结构晶圆需求

博士候选人询价

  • Al₂O₃ 2英寸:375-400μm SSP级(用于MOVPE法沉积AlGaN/GaN异质结构)
  • SiC 4H 2英寸:375-400μm绝缘型(GaN晶体管应用)
  • Si (111) 2英寸:375-400μm高阻型(晶体管制造)
    用途:HFET技术转移(参考编号#171068)

P型AlGaN模板

博士后研究需求

  • P型GaN/AlGaN模板
    • 衬底:蓝宝石/石英(方形优先,熔点≥1000°C)
    • 厚度:0.3-0.8μm(Mg掺杂)
    • 需提供完整技术数据(电学/光学/机械/表面特性)
      备注:圆形衬底可接受单片采购(参考编号#197858)

研究级AlGaN衬底

销售工程师询价

  • 2英寸c面蓝宝石衬底
    • AlGaN层厚度:200-300nm
    • Si掺杂浓度:3-5×10¹⁸/cm³
    • Al组分:20%与40%两种
      | 衬底 | 直径 | 缓冲层 | 外延层/掺杂 | 厚度 |
      |——|——|——–|————|——|
      | 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | 本征GaN | 100nm |
      | 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | 本征GaN | 300nm |
      | 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | 本征Al10%GaN | 300nm |
      | 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | Si掺杂Al20%GaN | 250nm |
      | 蓝宝石 | 2″ | 50nm AlN | Si掺杂Al40%GaN | 250nm |
      (参考编号#102784)

 

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