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为什么砷化镓优于硅？
我们如何帮助研究人员：
我们需要100微米厚的GaAs晶片，如果无法达到这个厚度，尽可能薄。直径为1英寸到1.15英寸。我们更倾向于选择无金属支撑的晶片。如果你需要将晶片两面抛光以达到所需厚度，没关系，不必抛光。如果不需要抛光，您也可以不做。
这些箔片不会用于半导体应用——我们将用于质子束的横截面测量。
有关规格和定价，请参考#210847。
问题：手机很棒，但它们也有一些大问题。首先，它们占用很多空间。其次，它们的电池续航时间很短。
我们都知道我们需要时刻保持连接，但我们的手机无法跟上我们忙碌的生活。它们很快没电，而我们并不总是能找到插座充电。
解决方案：砷化镓是解决我们电池问题的答案。这种材料能够更快地移动电子，同时消耗更少的电力，这意味着您的手机在一次充电后能够持续更长时间。
两种GaAs晶圆相比于硅晶圆的优势是：
GaAs移动电子的速度更快，同时消耗的功率更低。想想你的手机。在狭小的空间和短暂的电池寿命下，GaAs（砷化镓）晶圆在某些组件中提供了相较硅的明显优势。
GaAs具有直接带隙特性，使得全光总线比硅上的电线更高效地将光直接引导到芯片上。
砷化镓用于X射线光谱学
一位科学家需要帮助采购GaAs晶圆：
我们的研究小组正在寻找超光滑的GaAs晶圆，用于非常敏感的光学实验。您是否有光滑度约为+-10纳米，并且在5毫米范围内弯曲小于100纳米的晶圆？本质上，这两个晶圆在分开200纳米的间隙时，必须有一个不受阻挡的空间，宽度为5毫米。该晶圆将切割成多个5×10毫米的片段，所以2英寸直径应该足够。请告知您是否有符合此要求的产品。如果有，请提供报价。
我们将其用于X射线光谱学。我们基本上是重做实验，但使用的是更加平坦的材料。
UniversityWafer, Inc.报价：
GaAs项目 #1299 100mm未掺杂 <100> 1E7 625um DSP Prime级 EPD（平均）：≤5,000，掺杂：半绝缘型
砷化镓 VGF 和 LEC 生长 我们有砷化镓晶圆（GaAs），III-V 直接带隙半导体，既有常用的垂直梯度冻结（VGF）生长法，也有液封Czochralski（LEC）生长法，这两种方法都可以得到高纯度的单晶半绝缘型砷化镓晶圆。
砷化镓在原子尺度上的表现
砷化镓的符号
最近一位研究人员询问了150mm含铬（Cr）掺杂的砷化镓。
客户要求：
我们正在招标的项目需要约20片铬掺杂的6英寸GaAs晶圆，以及5~10片4英寸的硅-蓝宝石（SOS）晶圆。你能提供这些物品吗？如果能，我将提供详细的规格。
我们的回复：
我们有技术和设备来制造150mm直径的铬掺杂GaAs：Cr。
如何制造？ 需要生长一个新的晶体锭，然后将其切割和抛光成晶圆。Ro >1E8 Ohmcm，迁移率 >5,000cm²/Vs是无法达到的，但我们可能能达到4,000cm²/Vs。类似地，EPD<500/cm²对于LEC工艺来说不太现实，但我们肯定可以达到5E4/cm²。铬掺杂我们需要使用LEC工艺，而不是VGF工艺。
我们也提供了以下报价：
半绝缘型未掺杂砷化镓晶圆，P/P 6″ Ø×625±25µm， VGF SI GaAs：-[100 -2.0±0.5º 向 <001>]-±0.5°，Ro=(1.2-1.7)E8 Ohmcm，双面抛光（Epi-Ready），弯曲/变形<30µm，直径 150.0±1.0mm，SEMI缺口@（010）±5º，深度 1.0±0.25mm，{迁移率<5,000，EPD<500}晶体结构
镍砷化物 研究人员询问我们是否有镍砷化物。我们有，请提供您的规格。
砷的基本信息 砷原子有33个电子和33个质子，5个价电子。
什么玻璃可以与砷化镓结合？
一位研究人员询问是否有可与GaAs晶圆结合的玻璃（或石英）晶圆。以下是基本要求：
玻璃晶圆必须在940nm波长下是透明的。
晶圆直径：4英寸。
晶圆厚度：约500μm。
热膨胀系数（CTE）应尽量接近GaAs的CTE（5.73 ppm/K）。
双面抛光。
GaAs的CTE为5.73 ppm/K = 5.73×10^-6 /K。由于JGS2熔融石英的CTE比GaAs低一个数量级，而标准玻璃如BK7的CTE则过高，您有可能适合我们要求的材料吗？
解决方案：
我们发现康宁7056或7052似乎是不错的选择。请告知数量以便我们为您提供即时报价。
使用砷化镓制造激光二极管
如何使用砷化镓制造激光二极管是一本新书的主题。这是一个非常简单的过程，只使用一种半导体材料——砷化镓。利用这种化合物，可以制造出发光的激光二极管。关键在于使这些材料以一种有效且高效的方式相互协作。
砷化镓激光器的构造与发光二极管类似。它是一种半导体，能够产生相干光和非相干光。这些激光器由两层掺杂的砷化镓组成，其中一层是n型半导体，另一层是p型半导体。在这个过程中，添加了硅、铝和硒等掺杂剂，以创造一个双层激光结构。
这两层之间的过渡被称为直接带隙。这一过渡发生在p型层和n型层之间。当这些层连接时，它们形成一个p-n结，这个结将两种半导体类型分开。这个结构还允许高频率操作。这个过程被称为范围测量，它通过向远处的反射器发送光脉冲工作。激光脉冲被发送出去，返回脉冲在同一位置接收。当激光脉冲出去时，时钟开始计算到远程反射器的时间。
使用B2O3通量生长的砷化镓及其有用的硼受体浓度
我们的一些砷化镓晶圆是通过LEC（液体包封Czochralski法）生长的，这些晶圆具有较大的硼浓度，另外一些是通过VFG（垂直梯度冷却法）生长的，这些晶圆的硼浓度较低。
未掺杂的半绝缘砷化镓的硼浓度通常低于掺杂的砷化镓。
我们也有一些D形晶圆和一些通过HB（高温法）工艺结晶的小砷化镓晶块。这些材料是在不使用B2O3的情况下合成并生长的，因此它们完全不含硼（尽管我没有正式的GDMS（气相色谱质谱）测量数据来确认它们的硼浓度）。
请告诉我您需要的材料，以及您可以容忍的砷化镓中的硼浓度。
请告诉我所需的掺杂类型和程度，是否需要晶圆或晶体块，它们的尺寸和厚度。
我相信我们可以找到您需要的材料。
用于金属卤化物钙钛矿晶体生长的基底
研究人员使用了以下砷化镓和蓝宝石晶圆进行研究。
砷化镓产品编号 #3411
100mm N/Si <100> Res (1.2-9.9) x 10^-3 350um SSP 表面方向: (100)15°偏向<111> A ±0.5°
砷化镓产品编号 #3508
100mm 未掺杂 <100> Res 1E7 625um SSP 砷化镓 VFG，半绝缘，未掺杂，EPD: <7100 cm^-2，表面：DSP 从侧面：抛光，背面：抛光，平面：US（2个平面）
蓝宝石产品编号 #2562
100mm <0001> 650um DSP C-M平面 0.2°，双面抛光，微粗糙度：Ra<0.35nm，主要平面翘曲<21um，TTV<16um
金属卤化物钙钛矿，如混合有机-无机CH3NH3PbI3，作为溶液沉积的吸收层在太阳能电池中，已吸引了大量关注，且其功率转换效率已达到20%。在此，我们展示了一种新途径，通过设计高发光的钙钛矿基胶体量子点材料，拓展了钙钛矿的应用。我们使用廉价的商业前体合成了单分散的胶体纳米立方体（边长为4–15纳米）全无机铯铅卤化物钙钛矿（CsPbX3，X = Cl，Br，I或混合卤素系统Cl/Br和Br/I）。通过成分调节和量子尺寸效应，可以轻松调整带隙能量和发射光谱，覆盖整个可见光谱区域410–700 nm。
用于X射线探测器测试的砷化镓（GaAs）晶圆
科学家询问：
我正在寻找一些特殊的砷化镓晶圆，用于X射线探测器测试，类似于链接中描述的那种。我注意到您的网站上有铬掺杂的砷化镓，似乎它们也具有高电阻，这很好。您能提供更多关于您铬掺杂砷化镓的信息吗？比如它们采用了什么样的生长方法？铬掺杂剂是如何添加的？
以下是Gallium Arsenide（GaAs）晶圆的一些应用及相关信息：
GaAs晶圆的广泛应用： GaAs具有宽带隙的特点，使其在硅无法实现的应用中具备优势。GaAs的应用包括：
光电
高功率
高频设备
GaAs晶圆制造商： UniversityWafer, Inc. 提供各种规格的GaAs晶圆，包括未掺杂的半绝缘Epi准备型EJ和US平面GaAs。请联系我们获取报价！更多规格现货供应，请询问清单。
产品样本：
| 产品编号 | 类型/掺杂 | 晶向 | 直径 | 厚度 (μm) | 表面处理 | 电阻率 (Ω·cm) | 载流子浓度 (Nca/cm³) | 迁移率 (cm²/V·s) | EPD (cm²) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6093 | 未掺杂 SI | [100] | 2″ | 380 | P/E | n型 9.67E7 | 1.15E+07 | 5,590 | <7E4 |
| H093 | 未掺杂 SI | [100] | 2″ | 500 | P/E | n型 9.5E7 | 1.20E+07 | 5,360 | <6E4 |
| 5628 | 未掺杂 SI | [310] ±0.5° | 2″ | 400 | P/E | n型 5.5E7 | 1.90E+07 | 5,800 | <1,400 |
| 6814 | 未掺杂 SI | [100] | 2″ | 1,000 | P/P | n型 1.18E8 | 1.45E+07 | 3,656 | <4.5E4 |
| 2295A | 未掺杂 SI | [100-4° towards[111A]] ±0.5° | 51.3mm | 380 | P/E | n型 7.4E7 | 1.70E+07 | 5,000 | <8E4 |
掺硅N型GaAs:
| 产品编号 | 类型/掺杂 | 晶向 | 直径 | 厚度 (μm) | 表面处理 | 电阻率 (Ω·cm) | 载流子浓度 (Nca/cm³) | 迁移率 (cm²/V·s) | EPD (cm²) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3F051 | N/Si | [100-2° towards[011]] | 2″ | 350 | P/E | (0.91-1.36)E18 | <2,500 |
掺锌P型GaAs：
| 产品编号 | 类型/掺杂 | 晶向 | 直径 | 厚度 (μm) | 表面处理 | 电阻率 (Ω·cm) | 载流子浓度 (Nca/cm³) | 迁移率 (cm²/V·s) | EPD (cm²) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7151 | P/Zn | [100] | 4″ | 450 | P/E | <7E-3 | (3.1-4.2) | >81 | <10,000 |
掺铬（Cr）GaAs：
| 产品编号 | 类型/掺杂 | 晶向 | 直径 | 厚度 (μm) | 表面处理 | 电阻率 (Ω·cm) | 载流子浓度 (Nca/cm³) | 迁移率 (cm²/V·s) | EPD (cm²) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| T3911 | SI GaAs:Cr | [100] | 4″ | 625 | P/P | >1E7 |
GaAs晶圆应用： GaAs晶圆在多个领域有着广泛应用，尤其是在开发高频、高功率的光电设备中，GaAs晶圆的特殊性质使其成为理想的材料选择。
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