美国 UNIVERSITY WAFER SoS Substrate 蓝宝石基硅衬底晶圆
蓝宝石上硅 （SOS） 衬底是在蓝宝石晶片上生长的硅薄膜。蓝宝石是一种结晶氧化铝，以其高强度和热稳定性而闻名，使其成为微电子器件的理想衬底材料。然后，硅薄膜被用作使用各种制造工艺（如光刻、蚀刻和沉积）生产微电子器件的衬底。
SOS 基板用于需要高质量、高性能微电子器件的各种应用。SOS 基材的一些主要优势包括：
- 高热稳定性： 蓝宝石衬底具有出色的热稳定性，使 SOS 衬底适合在高温环境中使用。
- 高电绝缘性：蓝宝石具有较高的电击穿场，使 SOS 衬底适用于高压应用。
- 高强度： 蓝宝石是一种非常坚硬和坚固的材料，使 SOS 衬底能够抵抗机械损伤和磨损。
- 高抗辐射性：蓝宝石还具有很强的抗辐射性，使 SOS 衬底适用于对辐射敏感的应用，例如太空或核电站。
总体而言，SOS 衬底的主要优势在于它们能够为微电子器件的生产提供稳定、高质量的衬底，特别是在需要高热稳定性、高电绝缘性、高强度和高抗辐射性的环境中。
用于超表面研究的晶片
沉积在蓝宝石晶片上的 600nm 厚硅已被研究客户用于其学术研究超表面。
我们的研究客户声明：
我们将使用电子束光刻技术在蓝宝石晶片上制造设计的硅
纳米结构，这被称为
超表面。
超表面可用于操纵光的波前、
传播方向或聚焦。
蓝宝石基硅 （SoS） 应用
蓝宝石的优点是它是一种出色的电绝缘体，可防止辐射引起的杂散电流扩散到附近的电路元件。当硅在蓝宝石上生长时，所得的 SoS 基质e 用于制造 IC 器件。当器件需要较少的寄生器件电容并提高高温下的器件效率时，通常使用 SoS 晶圆代替绝缘体上硅。
但蓝宝石晶片上外延硅生长的问题是晶格失配、不一致的热膨胀系数和有限的硅尺寸。 Si-sapphire 界面是一个厚的缺陷区域的所在地。 固相外延生长 （SPER） 后，注入 Si 以降低缺陷的密度。 两阶段外延再生 （SPER）、薄膜减薄和两步外延都为材料改进提供了复杂的方法。 键合和 Smartcut 是生产最高质量 SOS 晶圆的最佳方法。
