美国 Universitywafer 用于研究和生产的锗 （Ge） 晶圆

美国 Universitywafer 用于研究和生产的锗 （Ge） 晶圆

用于制造纳米材料的锗晶片

锗 （Ge） 晶片是第一个用于制造第一个晶体管的衬底。但与硅相比，Ge 价格昂贵，硅取代 Ge 成为半导体器件中使用最多的材料。但研究人员正在努力用锗未来芯片取代硅，因为它可以使工业界使集成电路更高效、更灵活、更节能。

（cz） 锗 （Ge）

基于基因和衬底的 LED，用于芯片的小型化，但正在开发和研究许多其他实施方案，以探索锗的未来潜力基于本公开的改进的硅锭性能可能包括所得的晶片、所得太阳能电池和其他利用目前公开的锗富集步骤的应用。锗的高导电性和低生产成本可以帮助半导体行业制造比硅具有更高功率密度和更低功耗的集成电路。事实证明，Ge 是生产下一代芯片和其他半导体相关应用的更高效、更具成本效益的基板。

以下是一些可用的 CZ Ge 晶圆：

CZ Ge
直径：200+/-0.1mm
厚度：2+/-0.1mm
表面处理：双面抛光
S/D：60/40

CZ Ge
直径：200+/-0.1mm
厚度：4+/-0.1mm
表面处理：双面抛光
S/D：60/40

Cz Ge
直径：50+/-0.1mm
厚度：1+/-0.1mm
表面处理：双面抛光
S/D：60/40

用于长波/中波红外实验的锗晶片

锗 （Ge） 衬底

我们有大量的电气和光学级锗单面和双面抛光晶片库存，随时可以发货。

杂质原子被称为杂质的五倍，因为最外层的五个价电子与相邻原子共享一个自由电子。每个电子在每个原子上都有一个电子，因此原子处的自由电子总数随着彼此之间的距离而增加。