美国 Universitywafer 双面抛光（DSP）硅晶片

双面抛光（DSP）硅晶片

我们提供大量超平双面抛光优质和测试级硅晶片，涵盖各种直径、厚度、方向和电阻率。我们的总厚度变化库存中只有 1 微米的 TTV。

为了增加硅晶片的平整度，就是要对晶片的背面进行抛光。双面抛光有助于降低硅晶片表面的粗糙度。在制造需要超平面和低粗糙度规格的 MEMS 器件时，这是必须的。

除非另有说明，否则以下是 CZ 晶圆。晶圆是 SEMI prime，具有一个或两个平面或缺口。总厚度变化为 <1 μm，弓形 <5μm，翘曲为 <10μm。所有晶圆均为 Prime 级，并装在密封的硬塑料盒中运输。

光学相干断层扫描（OCT） 是用于制造半导体元件的最重要工具之一。其精确的厚度测量使其能够制造高质量的硅晶片。该系统非常适合制造硅器件，例如高频集成电路。它还有助于改进制造工艺，对广泛的工业应用有效

双面抛光硅片最重要的特性是其改进的性能。其镜面处理消除了表面的微粗糙和损伤，从而提高了效率并降低了污染风险。该过程涉及几个步骤，有助于确保高质量和一致的表面处理。本文将概述双面抛光的好处以及它如何使您的业务受益。对于半导体来说，这是一种经济高效的选择。

双面抛光硅片的主要优势是其卓越的性能。晶片的两面都经过抛光至镜面光洁度。因此，表面污染显著减少。该工艺还可有效降低颗粒捕获的风险，而颗粒捕获会导致性能不佳和效率低下。抛光工艺还使硅晶片比普通晶片更薄，从而形成单铸锭制造方法。