美国 Universitywafer 单面抛光 （SSP） 硅晶片
单面抛光硅片
我们有各种各样的单面抛光 （SSP） 晶圆库存。我们的厚度从 100 微米到 10 毫米不等。我们的平面度规格低至 1 微米的总厚度变化 （TTV）
加工单面抛光硅片的过程将机械抛光与光学干涉测量相结合。这些硅片的总厚度可以使用高速激光进行测量。此外，该过程快速准确。厚度范围为 41 至 122 nm。使用的波长通常是近红外的，波长由光学探头接收到的脉冲数决定。
| 项目 | 类型/掺杂剂 | 方向 | 直径 （mm） | Thck （um） | Pol | 电阻率 ohm-cm | 描述 |
| K148 系列 | 本征 Si： | [100] | 1″ | 300 | SSP | FZ >20,000 | Prime， NO Flats， Soft cst |
| D355 系列 | 本征 Si： | [100] | 1″ | 320 | SSP | FZ >20,000 | Prime， NO Flats， Soft cst |
| 5447 | 本征 Si： | [100] | 1″ | 500 | SSP | FZ >20,000 | SEMI Prime，1Flat，硬质 cst |
| 5275 | P型Si：B | [100] | 1″ | 1,000 | SSP | 130 | SEMI Prime，1Flat，硬质 cst |
| L678 系列 | P Si：B | [100] | 1″ | 3,000 | SSP | 150 | Prime、NO Flats、单个 cst、13 片晶圆组 |
| 5092 | P Si：B | [100] | 1″ | 275 | SSP | 0.0150.020 | SEMI Prime， 1Flat， 软 cst |
| S5554 系列 | P Si：B | [111] ±0.25° | 3″ | 400 | SSP | FZ >100 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| 4994 | n型 Si：P | [100] ±0.1° | 3″ | 380 | SSP | FZ >5,000 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| I978 | n型 Si：P | [111] ±0.5° | 3″ | 380 | SSP | 4,0008,000 斐济元 | SEMI Prime， 1Flat， 1 & 2 片晶圆的硬盒 |
| 编号 E383 | n型 Si：P | [111] ±0.5° | 3″ | 380 | SSP | 3,0005,000 斐济元 | SEMI Prime， 1Flat， 在 Empak 中， Lifetime>1,000？s， |
| 6773 | 本征 Si： | [100] | 3″ | 380 | SSP | FZ >20,000 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| 6116 | P Si：B | [100] | 3″ | 5,000 | SSP | 130 | Prime， 无 Flats， Individual cst |
| 3014 | P Si：B | [100] | 3″ | 250 | SSP | 0.150.20 | SEMI TEST（划痕），2 个平面，密封的 Empak 包埋盒，3 个晶圆 |
| S5843 系列 | P Si：B | [1004° 朝向[110]] ±0.5° | 3″ | 230 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst， TTV<5？m |
| 2248 | P Si：B | [100] | 3″ | 300 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst |
| 第 S5844 号 | P Si：B | [1004° 朝向[110]] ±0.5° | 3″ | 381 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst， TTV<5？m， 4 和 20 片晶圆盒 |
激光探针用于测量单面抛光硅晶片的间隙氧含量。这是监测硅片中氧浓度的准确可靠的方法。激光器安装在上板上，并以预设速度旋转。然后，上板穿过上板，扫描硅片的表面。扫描过程完成后，可以对硅晶片进行顶部处理。
单面抛光硅晶片的特点是在回流焊温度下出现翘曲行为，回流焊是封装过程中使用的最高温度。通过 3D 数字图像相关性分析表面，并测量每个表面的热膨胀系数。单面抛光硅片的粗糙度比镜面抛光的硅片具有更高的热膨胀系数。
