美国 UNIVERSITY WAFER P型掺杂硅衬底 晶圆
什么是 P 型掺杂？
P 型掺杂涉及将受体原子（如硼）引入本征（纯）硅中。这些原子的价电子比硅少（3 个而不是 4 个），在晶格中形成“空穴”。
它如何提高导电性：
空穴充当电荷载流子。
当来自相邻原子的电子跳入以填充它们时，这些空穴可以在晶格中移动。
空穴的这种运动本质上是正电荷传导。
结果：添加的硼越多（在限制范围内），产生的孔就越多，电导率也就越高。
| 本征硅 | P 型掺杂硅 | |
|---|---|---|
| 电荷载体 | 电子和空穴 | 大部分是 Holes |
| 传导率 | 低 | 高于 intrinsic |
| 掺杂剂示例 | – | 硼、镓 |
| 运营商类型 | 平衡 | 大多数：孔（积极） |
浮子区 （FZ） 6“Ø×25mm P 型 Si：P[100]，（7,025-7,865）Ohmcm， 1 SEMI 平面 我们有大量的初装、测试和机械级未掺杂、低掺杂和高掺杂硅片 1” – 12“ 硅片 低掺杂和高掺杂 现货供应，随时可以发货。全硅片盒和部分硅片盒的示例包括：
MEMC 硅片 100mm、150mm 和 200mm 的当前特价！请索取库存清单！
超薄硅片
100mm P/B （100） 1-10 ohm-cm 25um 2um 薄硅也可用！
以下只是我们出售的晶圆规格之一！
- 1“ 未掺杂硅 （100） >1,000 ohm-cm 250um DSP
- 2 英寸 P/硼 （100） 1-10 欧姆-厘米 280 微米 SSP
- 3“ N/磷 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 380um DSP
- 4“ 本征硅 （100） >20,000 ohm-cm 500um DSP
- 6 英寸 P/B （111） <1 ohm-cm 300um SSP
- 8“ 本征 （100） >5,000 ohm-cm 750um SSP
- 12 英寸 P/B （100） 10-20 欧姆-厘米 DSP 850 微米
我们可以定制小批量的晶圆。我们可以把它们切成丁，把它们稀释成 2um。我们有未掺杂、低掺杂和高掺杂硅衬底，始终备有库存。
P 型硅
- Si 项目 #1390 – 50.8mm P 型硼掺杂 （100） 0.001-0.005 ohm-cm 280um SSP Prime
- Si 项目 #978 – 76.2mm P 型掺硼 （100） 1-10 ohm-cm 380um SSP Prime
- Si 项目 #783 – 100mm P 型掺硼 （100） 10-20 ohm-cm 500um SSP Prime
- Si 项目 #2454 – 150mm P 型掺硼 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 625um SSP
- Si 项目 #2516 – 200mm P 型掺硼 （100） 24-36 ohm-cm 725um SSP
