美国 TRS Technologies 可定制压电元件
定制压电元件
我们提供多种形状和尺寸的压电和介电材料，以满足您的应用需求。请今天就联系我们，看看我们如何携手合作。
快速交付压电技术
TRS为需要更快周转或订单量较小的客户提供库存商品。
声学
- 无与伦比的压电技术为您的系统提供卓越的带宽和输出，助您领先竞争对手。
- 单晶PMN-PT具有卓越的性能，有望革新从医疗超声到自适应光学和能量采集等应用领域。TRS晶体表现出比传统压电陶瓷的5倍应变能量密度和显著更高的机电耦合。
- 应用与优势
驱动
- 在常温和低温下具有优越应变（77K时晶体应变与293K时陶瓷应变相当）
- 相比陶瓷，驱动场可能更低
- 独特的模式允许新颖的设计
精选材料性质区间
TRS下松弛子-PT晶体的典型性质范围
（菱面体相K）t模板厚度>= 0.35毫米，沿<001>极极，对称度为4毫米）
| X2B （PMN-PT） | X4B （PIN-PMN-PT） | X6B （Sm：PIN-PMN-PT） | Mn：PIN-PMN-PT （R&D） | |
| Ɛ33Τ（K) | 5000-7000 | 4000-6000 | 4900-7000 | 2900-3900 |
| Tanσ（%） | ≤0.9% | ≤0.9% | ≤1.2% | ≤0.2% |
| d33（pC/N） | 1500-2400 | 1200-2100 | 1350-2600 | 1100-2000 |
| kt | 0.55-0.59 | 0.52-0.58 | 0.52-0.58 | 0.52-0.58 |
| k33 | 0.91-0.96 | 0.90-0.95 | 0.90-0.96 | 0.89-0.95 |
| Vt（/s） | 4500-4850 | 4340-4650 | 4350-4660 | 4340-4650 |
| Nt（赫兹分） | 1900-1960 | 1870-1930 | 1880-1970 | 1860-2000 |
| Tc（°C） | 130-145 | 150-200 | 143-175 | 170-210 |
| T（°C） | 86-100 | 105-130 | 80-100 | 110-130 |
| Ec（kV/cm） | 1.9-2.5 | 4.5-6.0 | 4.0-5.0 | 4.5-6.0 |
| Qm | 80 | 150 | 140 | 500 |
注释：
（1） k33由 [001] 极化 k 计算得出t模式牌
（2） Qm值仅为参考值
（3） X6B 的性质范围为初步
可用作品
PMN-PT TRS X2B（第一代）
高应变和高耦合，适合高灵敏度应用。
PIN-PMN-PT TRS X4B（第二代）
更高的压力场，适合你高驱动的应用。
Sm：PIN-PMN-PT TRS X6B（第三代）
高介电介电常数、高耦合和高矫阻场，适用于高灵敏度和宽带宽的换能器。
Mn：PIN-PMN-PT（第三代）
高耦合率和机械质量系数适用于高功率换能器和执行器应用。下一代PIN-PMN-PT材料有限量供应，并配有特殊生长批次。
标准零件与公差
我们的PMN-PT材料提供圆盘、环和板状。
开发单晶器件
单晶PMN-PT压电器件为执行器、换能器和复合材料提供了独特的优势。我们可以通过设计和制造执行器、换能器或复合材料，帮助您探索单晶压电材料的优势。
