美国Thermo Electric 晶圆、硅晶圆、晶圆定位传感器、晶圆传感器、硅晶圆晶片、半导体晶圆、耐高温晶圆、晶圆电阻温度探测器、晶圆电阻、晶圆电阻器

Wafer Senor晶片传感器

仪表化晶片(热电偶键合晶片RTD)在半导体加工设备中得到应用,其中了解和控制晶片表面的温度是至关重要的。
热电公司的仪表化晶片正被用于许多行业,包括快速热处理(RTP)、快速热退火(RTA)、曝光后烘烤(PEB)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、离子注入、太阳能电池和许多其他热驱动工艺。

Thermo Electric拥有设计和安装热电偶的专业知识,热电偶安装在各种衬底上,包括硅、AlTiC、玻璃、陶瓷和其他提供的裸衬底,涂覆的或图案化的基底。其他定制基板,形状和尺寸可用。

高达350°C的晶圆

TC-350H —高性能—温度范围(-50°C至350°C)

TC-350H使用尽可能小的传感元件来减少热质量并增加每个传感器的响应时间。精心选择用于制造传感器的材料,以获得最高的精度和最大的传感器间一致性。

这种设计在了解和控制硅晶片表面的温度至关重要的情况下得到应用。大多数制造商将他们的传感器嵌入晶片的核心。该产品将测量重点放在发生最重要过程的晶圆表面。使用该产品时,您可以通过最精确的传感元件位置获得更快、更准确的响应时间。

虽然这些产品通常用于整个半导体行业,但这项技术也可用于测量任何其他二维表面的温度均匀性。

TC-350晶圆产品采用热电偶技术来产生最准确和可靠的读数。

TC-350D —重型—温度范围(-50°C至350°C)

TC-350D使用最坚固的部件来延长这些易碎产品的使用寿命。精心选择用于制造传感器的材料,以获得最高的精度和最大的传感器间一致性。

这种设计在了解和控制硅晶片表面的温度至关重要的情况下得到应用。大多数制造商将他们的传感器嵌入晶片的核心。该产品将测量重点放在发生最重要过程的晶圆表面。使用该产品时,您可以通过最精确的传感元件位置获得更快、更准确的响应时间。

虽然这些产品通常用于整个半导体行业,但这项技术也可用于测量任何其他二维表面的温度均匀性。

TC-350晶圆产品采用热电偶技术来产生最准确和可靠的读数。

高达700°C的晶圆

TC-700H —高性能—温度范围(-50°C至700°C)

TC-700H使用尽可能小的传感元件来减少热质量并增加每个传感器的响应时间。精心选择用于制造传感器的材料,以获得最高的精度和最大的传感器间一致性。

这种设计在了解和控制硅晶片表面的温度至关重要的情况下得到应用。大多数制造商将他们的传感器嵌入晶片的核心。该产品将测量重点放在发生最重要过程的晶圆表面。使用该产品时,您可以通过最精确的传感元件位置获得更快、更准确的响应时间。

虽然这些产品通常用于整个半导体行业,但这项技术也可用于测量任何其他二维表面的温度均匀性。

TC-700晶圆产品采用热电偶技术来产生最准确和可靠的读数。

TC-700D —重型—温度范围(-50°C至700°C)

TC-700D使用最坚固的部件来延长这些易碎产品的使用寿命。精心选择用于制造传感器的材料,以获得最高的精度和最大的传感器间一致性。

这种设计在了解和控制硅晶片表面的温度至关重要的情况下得到应用。大多数制造商将他们的传感器嵌入晶片的核心。该产品将测量重点放在发生最重要过程的晶圆表面。使用该产品时,您可以通过最精确的传感元件位置获得更快、更准确的响应时间。

虽然这些产品通常用于整个半导体行业,但这项技术也可用于测量任何其他二维表面的温度均匀性。

TC-700晶圆产品采用热电偶技术来产生最准确和可靠的读数。

高达1200°C的晶圆

TC-1200 —高温/高纯度—温度范围(-50°C至1200°C)

TC-1200利用一种非常独特的连接方法,允许在极高的温度下工作。这种方法不使用粘合剂。相反,硅是通过激光焊接来固定传感器的。

这不仅允许高温操作,而且还创造了一个最干净的设计。通过消除粘合剂,不可能有脱气或其它不希望的情况。

这种设计在了解和控制硅晶片表面的温度至关重要的情况下得到应用。大多数制造商将他们的传感器嵌入晶片的核心。该产品将测量重点放在发生最重要过程的晶圆表面。使用该产品时,您可以通过最精确的传感元件位置获得更快、更准确的响应时间。

虽然这些产品通常用于整个半导体行业,但这项技术也可用于测量任何其他二维表面的温度均匀性。

TC-1200晶圆产品采用热电偶技术来产生最准确和可靠的读数。

键合晶片

BTC700H —薄型/高响应—最高温度700°C

BTC-700H提供了一个配对晶片对的低姿态和精确的垂直对准,以确保快速和准确的响应。该产品将对典型晶圆焊接过程中出现的静态和动态温度变化做出响应。

BTC700适用于晶圆键合设备,在这种设备中,需要了解和控制配对硅片表面的温度均匀性。MEMS、MOEMS、绝缘体上硅(SOI)、晶片级封装和三维芯片堆叠是采用晶片键合的主要技术类别。

键合晶片可以由任何直径的晶片制造,从而可以在技术上尽可能接近地遵循特定的键合工艺。作为该产品的用户,您可以对晶圆焊接过程中出现的温度变化做出快速、准确和可靠的响应。

RTD —低温/高精度—最高温度240°C

仪表化晶片RTD的工作原理是,某些金属的电阻随着温度范围以可重复和可预测的方式增加或减少。

与热电偶晶片相比,RTD的仪表化晶片具有更高的精度和稳定性,为半导体制造设备的监控提供了额外的选择。

RTDs传感器在较长时间内保持初始精度的能力提供了温度测量的可重复性。


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