Terasense太赫兹源
TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管） 采用硅双漂移二极管设计，具有0.6微米的过渡区域，并安装在铜散热器上。双漂移二极管的层结构包括：重掺杂（p+）区、中等掺杂（p）区、中等掺杂（n）区和重掺杂（n+）区。（p+）区和（n+）区允许与外部电路形成欧姆电接触。该器件依靠负电阻来生成和维持振荡。
TeraSense 现在推出了升级版的太赫兹源。升级后的IMPATT二极管配备了保护性隔离器，显著提高了输出功率的稳定性。从现在起，您可以选择带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。在优化频率@100 GHz下，太赫兹源的典型射频输出功率可达2 W。
Terasense太赫兹源主要特点:
IMPATT技术：基于IMPATT二极管，能够生成高功率的太赫兹信号。适用于0.1 THz至0.3 THz的亚太赫兹频率范围。
GaAs肖特基技术：基于GaAs肖特基二极管，提供高效率和稳定的信号输出。适用于更高频率范围（如600 GHz）。
可选频率：提供100 GHz、140 GHz、200 GHz、300 GHz和600 GHz等多种频率。
高输出功率：输出功率高达2 W，适用于多种应用场景。
计算机控制衰减：支持计算机控制的信号衰减，便于精确调节输出功率。
低成本且紧凑：设备成本低，尺寸紧凑，便于集成到现有系统中。
1年保修：提供1年保修服务，确保设备长期稳定运行。
此外，TeraSense太赫兹源还具有符合人体工程学的设计和易于使用的特点。 公司还可以选择提供带有衰减器和开关部分的太赫兹发生器。
Terasense太赫兹源主要型号：
