TeraSense系列的太赫兹源（IMPATT二极管）由硅双漂移二极管构成，具有0.6微米的过渡区，并安装在铜散热器上。双漂移二极管中的层包括：重掺杂（p+）区、适度掺杂（p+）区、适度掺杂n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区允许与外部电路进行欧姆电接触。该装置依赖于负电阻来产生和维持振荡。
TeraSense现已推出升级版太赫兹源。升级版IMPATT二极管配备了保护隔离器，显著提高了输出功率的稳定性。从现在起，您可以选择配备开放WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。优化频率@100 GHz的太赫兹源的典型输出射频功率可达到2 W。
此外，TeraSense的太赫兹源具有符合人体工程学的设计，使用简便。公司还可根据需求提供配有衰减器和开关部分的太赫兹发射机。
太赫兹源规格：
- 输出射频功率：> 80 mW, 180 mW, 400 mW, 0.8 W, 2 W
- 输出类型：锥形喇叭天线/法兰型输出
- 保护隔离器
- TTL调制
- 输出射频功率：> 30 mW, 80 mW, 180 mW
- 输出类型：锥形喇叭天线/法兰型输出
- 保护隔离器
- TTL调制
- 输出射频功率：> 40 mW, 70 mW, 200 mW
- 输出类型：对角喇叭天线/法兰型输出
- TTL调制
- 输出射频功率：290 GHz > 10 mW, 290 GHz > 30 mW, 290 GHz > 50 mW, 290 GHz > 80 mW
- 输出类型：对角喇叭天线/法兰型输出
- TTL调制
