美国TERASENSE TERA系列太赫兹成像相机
这些探测器采用GaAs高迁移率异质结构在标准半导体工艺中使用常规光刻技术制造。成像传感器在单片晶圆上制造，这一过程确保了等离子体探测器参数的高度均匀性和可重复性（像素间的响应度偏差在20%的范围内）。每个探测单元在室温下的响应度最高可达50 kV/W，配备读取电路，噪声等效功率为1 nW/√Hz，工作频率范围为10 GHz至1 THz。探测机制基于在二维电子系统中激发等离子体振荡并随后的整流过程。整流发生在电子系统中通过特殊缺陷所形成的区域。
我们的太赫兹相机是主动探测设备，需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。所有我们的TERA系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器，具有相同的能力和空间分辨率。不同型号之间的区别在于传感器阵列中的像素数量及其有效成像面积。
- 256 像素（16 x 16 阵列）
- 1.5 毫米像素间距
- 噪声等效功率（NEP）= 1 nW/√Hz
- 设备尺寸：11.6 cm x 11.6 cm x 4.5 cm
- 1024 像素（32 x 32 阵列）
- 1.5 毫米像素间距
- 噪声等效功率（NEP）= 1 nW/√Hz
- 设备尺寸：11.6 cm x 11.6 cm x 4.5 cm
- 4096 像素（64 x 64 阵列）
- 1.5 毫米像素间距
- 噪声等效功率（NEP）= 1 nW/√Hz
- 设备尺寸：16.5 cm x 16.5 cm x 4.5 cm
- 图像采集速率：5000 fps（5 kHz）
- 扫描速度：最高 15 m/秒（900 m/分钟）
- 每像素最小可检测功率：100 nW（在 5000 fps 时）
- 256 像素（256 x 1 阵列）— 可根据需要扩展
- 3 x 1.5 毫米像素尺寸
- 噪声等效功率（NEP）= 1 nW/√Hz
